[實用新型]半導體芯片的封裝結構

有效

• 申請號: 201721130419.4
• 申請日: 2017-09-05
• 公開（公告）號: CN207165551U
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 陳彥亨;林正忠
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙)31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種半導體芯片的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括：

半導體芯片，所述半導體芯片表面具有電極；

保護層，形成于所述半導體芯片表面，所述保護層對應所述電極具有電極開孔；

封裝材料，包圍所述半導體芯片及所述保護層；

重新布線層，形成于所述封裝材料及半導體芯片上，所述重新布線層通過所述保護層的電極開孔與所述半導體芯片的電極連接；以及

金屬凸塊，制作于所述重新布線層上。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于：所述保護層包括環氧樹脂、硅膠、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一種或兩種以上組合。

3.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于：所述保護層的側壁被所述封裝材料完全包圍，所述保護層的上表面露出于所述封裝材料，且與所述封裝材料的上表面處于同一平面。

4.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于：所述封裝材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環氧樹脂中的一種。

5.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于：所述重新布線層包括圖形化的金屬布線層以及圖形化的介質層，所述金屬布線層通過所述保護層的電極開孔與所述半導體芯片的電極相連。

6.根據權利要求5所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于：所述介質層的材料包括環氧樹脂、硅膠、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一種或兩種以上組合，所述金屬布線層的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種或兩種以上組合。

7.根據權利要求1所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于：所述金屬凸塊包括銅柱、位于所述銅柱上表面的鎳層、以及位于所述鎳層上的焊料凸點。

8.根據權利要求7所述的半導體芯片的封裝結構，其特征在于：所述金屬阻擋層包括鎳層，所述焊料凸點的材料包括鉛、錫及銀中的一種或包含上述任意一種焊料金屬的合金。