[實(shí)用新型]一種電子背散射衍射儀樣品臺(tái)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721127597.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207133209U | 公開(公告)日: | 2018-03-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬廣財(cái);張重遠(yuǎn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院金屬研究所 |
| 主分類號(hào): | G01N23/203 | 分類號(hào): | G01N23/203;H01J37/20;H01J37/28 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標(biāo)代理有限公司21002 | 代理人: | 許宗富,周秀梅 |
| 地址: | 110016 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電子 散射 衍射 樣品 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及金屬材料分析測(cè)試領(lǐng)域,尤其涉及一種電子背散射衍射儀樣品臺(tái)。
背景技術(shù)
電子背散射衍射技術(shù)(EBSD)是針對(duì)晶體材料大面積區(qū)域進(jìn)行逐點(diǎn)的晶體學(xué)取向信息的快速標(biāo)定技術(shù),能夠重構(gòu)統(tǒng)計(jì)微觀組織結(jié)構(gòu)和微織構(gòu)等信息,因而在晶體材料研究領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。
EBSD是以掃描電子顯微鏡為載體,由一個(gè)用以成像的熒光磷屏和一臺(tái)用來攝取衍射圖像的高靈敏度CCD數(shù)字相機(jī)組成。實(shí)驗(yàn)過程中,需將精細(xì)拋光后電解拋光或離子轟擊的樣品放置在70°預(yù)傾斜樣品臺(tái)上,進(jìn)一步靠近BSE探頭和EBSD探頭至實(shí)驗(yàn)距離,之后采用高能電子束轟擊呈70°樣品表面,之后將轟擊產(chǎn)生的衍射圖像傳輸至終端計(jì)算機(jī),從而確定晶體類型、取向、晶體間的夾角(位向差)、晶體粒度、晶界類型以及重位點(diǎn)陣晶界分布等特征。實(shí)驗(yàn)坐標(biāo)系分為樣品坐標(biāo)系CS0(RD-TD-ND)和樣品臺(tái)坐標(biāo)系CSm(Xm-Ym-Zm)。實(shí)驗(yàn)過程中要求樣品坐標(biāo)系要與樣品臺(tái)坐標(biāo)系重合,X、Y方向稍有偏差就會(huì)導(dǎo)致測(cè)試數(shù)據(jù)Euler角出現(xiàn)誤差,每個(gè)晶格絕對(duì)取向數(shù)據(jù)出現(xiàn)誤差,即樣品的RD方向取向數(shù)據(jù)和TD方向取向數(shù)據(jù)出現(xiàn)誤差,會(huì)導(dǎo)致后續(xù)的微織構(gòu)分析、面指數(shù)分析等等產(chǎn)生錯(cuò)誤的結(jié)論。因此實(shí)驗(yàn)過程中對(duì)于樣品的控制極為關(guān)鍵。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種電子背散射衍射儀樣品臺(tái),能夠滿足X、Y方向需同時(shí)精確測(cè)試的樣品進(jìn)行有標(biāo)樣的測(cè)試需求。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:
一種電子背散射衍射儀樣品臺(tái),包括底座、固定臺(tái)、真空電機(jī)和旋轉(zhuǎn)臺(tái);其中:所述固定臺(tái)由所述底座進(jìn)行支撐,固定臺(tái)上設(shè)有固定面,所述固定面與底座呈70°夾角;所述固定臺(tái)的固定面上開有凹槽,凹槽用于安裝并固定真空電機(jī);所述真空電機(jī)上連接圓形旋轉(zhuǎn)臺(tái),旋轉(zhuǎn)臺(tái)表面帶有定位孔和基準(zhǔn)線。
所述真空電機(jī)上的旋轉(zhuǎn)臺(tái)與所述固定面相平行。
所述真空電機(jī)與外部控制器相連接,外部控制器能夠控制旋轉(zhuǎn)臺(tái)在所在平面進(jìn)行0-360°旋轉(zhuǎn);通過外部控制器能夠?qū)崿F(xiàn)旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的樣品進(jìn)行縱向和橫向精確旋轉(zhuǎn),旋轉(zhuǎn)精度控制在0.036度以上。
所述固定面上開設(shè)的凹槽與所述真空電機(jī)的尺寸相適應(yīng)。
所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的定位孔用于安裝單晶硅標(biāo)樣的樣品臺(tái)和被測(cè)樣品的樣品臺(tái),單晶硅標(biāo)樣的樣品臺(tái)和被測(cè)樣品的樣品臺(tái)高度可調(diào);所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的基準(zhǔn)線能夠與掃描電鏡基線重合或平行。
所述電子背散射衍射儀樣品臺(tái)由不銹鋼材料制成,或者由導(dǎo)電性大于等于不銹鋼的材料制成;所述電子背散射衍射儀樣品臺(tái)的總重量不大于電鏡規(guī)定的最大載荷的2/3。
本實(shí)用新型的有益效果是:
1、在原有傾斜面的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)樣品XY面的精確定位旋轉(zhuǎn),突破了電子背散衍射三維精準(zhǔn)微取向表征的方法。
2、采用本實(shí)用新型裝置可以實(shí)現(xiàn)原位調(diào)節(jié)測(cè)試樣品,為實(shí)現(xiàn)葉片的軸向和橫向取向表征樣品創(chuàng)造條件。
3、采用本實(shí)用新型裝置可以實(shí)現(xiàn)可原位旋轉(zhuǎn),實(shí)現(xiàn)兩個(gè)方向的高質(zhì)量分析,這不僅提高了EBSD的分析效率,并拓寬了其使用范圍,對(duì)科研工作具有重要的實(shí)際意義。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型電子背散射衍射儀樣品臺(tái)結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型電子背散射衍射儀樣品臺(tái)結(jié)構(gòu)示意圖(側(cè)視圖)。
圖中:1-固定臺(tái);11-固定面;2-底座;3-真空電機(jī);4-旋轉(zhuǎn)臺(tái);5-定位孔;6-基準(zhǔn)線。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述。
如圖1-2所示,本實(shí)用新型為電子背散射衍射儀樣品臺(tái),包括底座2、固定臺(tái)1、真空電機(jī)3和旋轉(zhuǎn)臺(tái)4;其中:所述固定臺(tái)1由所述底座2進(jìn)行支撐,固定臺(tái)1上設(shè)有固定面11,所述固定面1與底座2呈70°夾角;所述固定臺(tái)的固定面上開有凹槽,凹槽用于安裝并固定真空電機(jī)3;所述真空電機(jī)3上連接圓形旋轉(zhuǎn)臺(tái)4,旋轉(zhuǎn)臺(tái)4表面帶有定位孔5和基準(zhǔn)線6。
所述真空電機(jī)上的旋轉(zhuǎn)臺(tái)4與所述固定面11相平行。
所述真空電機(jī)與外部控制器相連接,外部控制器能夠控制旋轉(zhuǎn)臺(tái)4在所在平面進(jìn)行0-360°旋轉(zhuǎn);通過外部控制器能夠?qū)崿F(xiàn)旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的樣品進(jìn)行縱向和橫向精確旋轉(zhuǎn),旋轉(zhuǎn)精度控制在0.036度以上。
所述固定面11上開設(shè)的凹槽與所述真空電機(jī)的尺寸相適應(yīng)。
所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)4上的定位孔5用于安裝單晶硅標(biāo)樣的樣品臺(tái)和被測(cè)樣品的樣品臺(tái),單晶硅標(biāo)樣的樣品臺(tái)和被測(cè)樣品的樣品臺(tái)高度可調(diào);安裝單晶硅標(biāo)樣的定位孔與安裝被測(cè)樣品的定位孔之間的連線為基準(zhǔn)線,所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的基準(zhǔn)線6能夠與掃描電鏡基線重合或平行。
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