[實用新型]一種快速導通MOSFET放大電路及功率放大器有效
| 申請號： | 201721125920.1 | 申請日： | 2017-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN207150543U | 公開（公告）日： | 2018-03-27 |
| 發明（設計）人： | 許守東;陳勇;李勝男;張麗;李俊鵬 | 申請（專利權）人： | 云南電網有限責任公司電力科學研究院 |
| 主分類號： | H03F3/21 | 分類號： | H03F3/21;H03F1/02 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363 | 代理人： | 逯長明,許偉群 |
| 地址： | 650217 云南省昆*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 快速 mosfet 放大 電路 功率放大器 | ||
1.一種快速導通MOSFET放大電路，其特征在于，所述電路包括第一MOSFET管、第一電壓源、第一驅動信號源、第一直流電源、第一電容和第一三級管，其中：
所述第一驅動信號源的輸出端連接所述第一三級管的基極、所述第一三級管的射極連接所述第一MOSFET管的柵極；
所述第一電容的一端分別連接所述第一三級管的集電極和所述第一直流電源的輸出端、另一端接地；
所述第一MOSFET管的漏極連接所述第一電壓源的輸出端、源極接地。
2.根據權利要求1所述的放大電路，其特征在于，所述電路還包括由第二三級管和第三三極管組成的圖騰柱驅動單元、第二直流電源以及第一電阻，其中：
所述第一電阻的一端連接所述第一驅動信號源的輸出端、另一端分別連接所述第二三級管和第三三極管的基極；
所述第二三級管的集電極連接所述第二直流電源的輸出端、射極連接分別連接所述第一MOSFET管的柵極、所述第三三極管的射極和所述第一三極管的射極；
所述第三三極管的集電極接地。
3.根據權利要求1所述的放大電路，其特征在于，所述第一電容包括多個并聯的子電容。
4.根據權利要求1所述的放大電路，其特征在于，所述電路還包括第二MOSFET管、第二電壓源、第二驅動信號源、第三直流電源、第二電容和第四三級管，其中：
所述第二驅動信號源的輸出端連接所述第四三級管的基極、所述第四三級管的射極連接所述第二MOSFET管的柵極；
所述第二電容的一端分別連接所述第四三級管的集電極和所述第三直流電源的輸出端、另一端接地；
所述第二MOSFET管的漏極連接所述第二電壓源的輸出端、源極接地，所述第二MOSFET管的與所述第一MOSFET管的導通特性相反。
5.根據權利要求4所述的放大電路，其特征在于，所述電路還包括由第五三級管和第六三極管組成的圖騰柱驅動單元、第四直流電源以及第二電阻，其中：
所述第二電阻的一端連接所述第二驅動信號源的輸出端、另一端分別連接所述第五三級管和第六三極管的基極；
所述第五三級管的集電極連接第四直流電源、射極連接分別連接所述第一MOSFET管的柵極、所述第六三極管的射極和所述第一三極管的射極；
所述第六三極管的集電極接地。
6.一種功率放大器，其特征在于，包括權利要求1-5任一所述的快速導通MOSFET放大電路。
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