[實用新型]一種封裝基板、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721106404.4 | 申請日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN207082556U | 公開(公告)日: | 2018-03-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王國英;宋振 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 周娟 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 封裝 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種封裝基板,其特征在于,包括具有透光形成區(qū)和非透光形成區(qū)的襯底基板,所述襯底基板上設有金屬電極,以及位于至少部分所述金屬電極遠離所述襯底基板表面的隔墊物,所述隔墊物在所述襯底基板的正投影位于所述金屬電極在所述襯底基板的正投影中,所述金屬電極在襯底基板的正投影位于所述襯底基板的非透光形成區(qū),所述隔墊物與所述金屬電極之間存在間隔。
2.根據權利要求1所述的封裝基板,其特征在于,所述金屬電極設在所述襯底基板的非透光形成區(qū)的表面,所述金屬電極上方設有平坦化層,所述隔墊物設在所述平坦化層背離所述金屬電極的表面,所述平坦化層在所述襯底基板的正投影覆蓋所述襯底基板的非透光形成區(qū)和透光形成區(qū)。
3.根據權利要求2所述的封裝基板,其特征在于,所述金屬電極與所述平坦化層之間設有黑矩陣,所述金屬電極在所述襯底基板的正投影位于所述黑矩陣在所述襯底基板的正投影中。
4.根據權利要求3所述的封裝基板,其特征在于,所述黑矩陣開設有非透光區(qū)過孔,所述非透光區(qū)過孔在所述襯底基板的正投影位于所述金屬電極在所述襯底基板的正投影內,所述隔墊物在所述襯底基板的正投影與所述非透光區(qū)過孔在所述襯底基板的正投影相互獨立;
所述平坦化層開設有與所述非透光區(qū)過孔連通的平坦化層過孔,所述非透光區(qū)過孔在所述襯底基板的正投影,與所述平坦化層過孔在所述襯底基板的正投影至少部分重合。
5.根據權利要求1所述的封裝基板,其特征在于,至少部分所述金屬電極的表面設有過渡層,所述隔墊物位于所述過渡層遠離所述金屬電極的表面。
6.根據權利要求5所述的封裝基板,其特征在于,所述過渡層為透光絕緣過渡層;
所述透光絕緣過渡層上開設有過渡層過孔,所述過渡層過孔在所述襯底基板的正投影位于所述金屬電極在所述襯底基板的正投影內,所述隔墊物在所述襯底基板的正投影與所述過渡層過孔在所述襯底基板的正投影相互獨立。
7.根據權利要求5所述的封裝基板,其特征在于,所述過渡層為透光導電過渡層。
8.根據權利要求5~7任一項所述的封裝基板,其特征在于,所述襯底基板與所述金屬電極之間設有平坦化層,所述平坦化層在所述襯底基板的正投影覆蓋所述襯底基板的透光形成區(qū)和非透光形成區(qū)。
9.根據權利要求8所述的封裝基板,其特征在于,所述過渡層設在所述平坦化層對應所述襯底基板的透光形成區(qū)的表面。
10.根據權利要求5~7任一項所述的封裝基板,其特征在于,所述封裝基板還包括彩色濾光層,所述彩色濾光層設在所述襯底基板的透光形成區(qū)和非透光形成區(qū)的表面。
11.根據權利要求1~7任一項所述的封裝基板,其特征在于,
所述金屬電極為單質金屬膜、合金膜或復合多層膜;所述復合多層膜包括層疊設置的第一合金膜和第二合金膜,以及設在第一合金膜和第二合金膜之間的單質金屬膜。
12.一種顯示面板,包括權利要求1~11任一權利要求所述的封裝基板,以及與封裝基板對盒的陣列基板,所述封裝基板的金屬電極與所述陣列基板表面的透光電極連接。
13.一種顯示裝置,包括權利要求12所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





