[實(shí)用新型]像素界定層、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721102118.0 | 申請日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN207116433U | 公開(公告)日: | 2018-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張玉欣;程鴻飛 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素 界定 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種像素界定層,其特征在于,包括:
設(shè)置在襯底基板上的矩陣狀排布的多個絕緣的像素界定圖案;
每個所述像素界定圖案包括第一子界定圖案和第二子界定圖案,所述第二子界定圖案嵌套設(shè)置在所述第一子界定圖案內(nèi),且所述第二子界定圖案的外邊緣與所述第一子界定圖案的內(nèi)邊緣連接;
其中,所述第一子界定圖案的厚度大于所述第二子界定圖案的厚度,所述第二子界定圖案圍成的區(qū)域?yàn)榘l(fā)光層的發(fā)光區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素界定層,其特征在于,所述第二子界定圖案為環(huán)狀襯底,所述環(huán)狀襯底嵌套設(shè)置在所述第一子界定圖案內(nèi),且所述環(huán)狀襯底的外邊緣與所述第一子界定圖案的內(nèi)邊緣連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素界定層,其特征在于,所述像素界定圖案還包括設(shè)置在所述第二子界定圖案上的凸起結(jié)構(gòu),所述凸起結(jié)構(gòu)的厚度與所述第二子界定圖案的厚度之和小于所述第一子界定圖案的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素界定層,其特征在于,
所述凸起結(jié)構(gòu)為一體結(jié)構(gòu),或者,所述凸起結(jié)構(gòu)包括沿所述第二子界定圖案的延伸方向陣列排布的多個條形結(jié)構(gòu)。
5.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的如權(quán)利要求1至4任一所述的像素界定層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:設(shè)置在所述襯底基板和所述像素限定層之間的第一電極,以及層疊設(shè)置在所述第一電極遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的發(fā)光層和第二電極,
其中,所述發(fā)光層的厚度小于所述第一子界定圖案的厚度,且所述發(fā)光層的厚度大于所述第二子界定圖案的厚度,所述第一電極與所述第二電極的極性不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,
所述發(fā)光層為有機(jī)發(fā)光層或無機(jī)發(fā)光層。
8.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括:權(quán)利要求5至7任一所述的顯示面板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置還包括薄膜晶體管TFT,所述TFT為頂柵結(jié)構(gòu)或底柵結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置為頂發(fā)射型結(jié)構(gòu)、底發(fā)射型結(jié)構(gòu)或倒置型結(jié)構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團(tuán)股份有限公司,未經(jīng)京東方科技集團(tuán)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721102118.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





