[實用新型]發光器件及顯示面板

有效

• 申請號: 201721098351.6
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN207134384U
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 陳亞文;宋晶堯;付東
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 鄭彤

技術領域

本實用新型涉及發光二極管領域，特別是涉及一種發光器件及顯示面板。

背景技術

有機電致發光二極管(OLED)由于其具有自發光、反應快、視角廣、亮度高、輕薄可柔性等優點，其潛在的市場前景被業界看好，成為下一代顯示技術的主要發展方向。

量子點(quantum dot，QD)是半徑小于或者接近波爾激子半徑的納米晶顆粒，其尺寸粒徑一般介于1-20nm之間。量子點具有量子限域效應，受激發后可以發射熒光。而且量子點具有獨特的發光特性，例如激發峰寬，發射峰窄，發光光譜可調等性質，使得其在光電發光領域具有廣闊的應用前景。量子點發光二極管(quantum dot light emitting diode，QLED)就是將膠體量子點作為發光層的器件，在不同的導電材料之間引入所述發光層從而得到所需要波長的光。QLED具有色域高、自發光、啟動電壓低、響應速度快等優點，因此目前在世界上是非常熱門的研究方向。

現有OLED、QLED內量子效率幾乎已經達到100％，但大概只有20％的光子能從器件中射出為我們利用，約30％的光因全反射而損失掉。目前有采用微腔結構來提高正面光取出效率，同時還能調節發光器件的色域，使得三原色波峰更窄，色域更寬。常規底發射發光器件結構，包括基板、透明電極、發光層以及頂電極，透明電極為高透光性的導電金屬氧化物如ITO，因此當采用微腔結構時，由于ITO透光性較好，光發射率較低，因此微腔效應較弱，無法有效的提高正面光取出效率以及調節色域。

實用新型內容

基于此，有必要提供一種能夠提高底發射型OLED、QLED中的微腔調節效應，從而提高底發射型發光器件的正面出光效率以及色域調節效果的發光器件機構及顯示面板。

一種發光器件，襯底；

發光部件，所述發光部件設置在所述襯底上，所述發光部件包括底電極、發光層和頂電極，所述發光層設置在所述底電極和所述頂電極之間；

所述底電極包括透明電極和半透明電極，所述透明電極設置在所述襯底表面，所述半透明電極設置在所述透明電極表面。

在其中一個實施例中，所述基板為玻璃基板或柔性基板。

在其中一個實施例中，所述透明電極為導電金屬氧化物電極。

在其中一個實施例中，所述透明電極為ITO電極、IZO電極或者FTO電極。

在其中一個實施例中，所述半透明電極為Al電極、Ag電極或Mg電極，或者所述半透明電極為Al、Ag和Mg中兩種或三種元素的合金電極。

在其中一個實施例中，所述發光層材料為有機半導體發光材料。

在其中一個實施例中，所述發光層材料為無機半導體納米晶。

在其中一個實施例中，所述頂電極為Ag電極、Mo電極或Au電極，或者為Ag、Mo和Au中兩種或三種元素的合金電極。

在其中一個實施例中，所述半透明電極的厚度15-20nm，

在其中一個實施例中，所述透明電極的厚度為10-150nm。

一種顯示面板，包括所述的發光器件。

上述的發光器件結構，通過在透明電極上面引入半透明電極，從而提高底發射型發光器件中的微腔效應，進而可以通過調節微腔結構減小出光側的全反射，提高正面出光效應，同時還能減小發光光譜的半峰寬，提高顯示色域，通過在平坦層引入電極連接孔能將底電極與TFT漏電極起到提高半透明電極的導電性和防止連接不良甚至斷路的目的。

附圖說明

圖1為一實施例發光器件10側面示意圖；

圖2為圖1所示發光器件10的發光部件的側面示意圖。

附圖標記說明

10、發光器件；100、基板；200、驅動TFT；210、漏極；220、源極；300、平坦層；400、底電極；410、透明電極；420、半透明電極；430、發光層；440、頂電極；450、電極連接孔；500、像素界定層；600、無定形半導體層；700、門極。

具體實施方式

為了便于理解本實用新型，下面將參照相關附圖對本實用新型進行更全面的描述。附圖中給出了本實用新型的較佳實施例。但是，本實用新型可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本實用新型的公開內容的理解更加透徹全面。

需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。