[實用新型]一種具有正面鈍化接觸的P型PERC電池有效
| 申請號： | 201721093521.1 | 申請日： | 2017-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN207353259U | 公開（公告）日： | 2018-05-11 |
| 發明（設計）人： | 郭瑤;鄭霈霆;金浩;張昕宇;張范 | 申請（專利權）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 正面 鈍化 接觸 perc 電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有正面鈍化接觸的P型PERC電池，其特征在于，包括P型硅基體，所述P型硅基體的正面設置有氧化硅層，所述氧化硅層的表面設置有摻雜多晶硅層，所述P型硅基體的背面依次設置有氧化鋁層和氮化硅層且設置有鋁背場，所述鋁背場開槽與所述P型硅基體形成歐姆接觸，且所述P型硅基體的正面還設置有電極。
2.根據權利要求1所述的具有正面鈍化接觸的P型PERC電池，其特征在于，所述摻雜多晶硅層的表面還設置有ITO層。
3.根據權利要求1所述的具有正面鈍化接觸的P型PERC電池，其特征在于，所述氧化硅層的厚度范圍為3納米至7納米。
4.根據權利要求1所述的具有正面鈍化接觸的P型PERC電池，其特征在于，所述摻雜多晶硅層的厚度范圍為15納米至25納米。
5.根據權利要求2所述的具有正面鈍化接觸的P型PERC電池，其特征在于，所述ITO層的厚度范圍為70納米至100納米。
6.根據權利要求1-5任一項所述的具有正面鈍化接觸的P型PERC電池，其特征在于，
所述摻雜多晶硅層為摻磷多晶硅層。
7.根據權利要求6所述的具有正面鈍化接觸的P型PERC電池，其特征在于，所述氧化鋁層的厚度范圍為8納米至12納米。
8.根據權利要求7所述的具有正面鈍化接觸的P型PERC電池，其特征在于，所述氮化硅層的厚度范圍為80納米至120納米。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
