[實用新型]一種基于頻率轉(zhuǎn)換的電容傳感器接口電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721091847.0
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN207083069U
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐衛(wèi)林;劉俊昕;孫曉菲;李海鷗;韋保林;龔全熙
• 申請（專利權(quán)）人: 桂林電子科技大學(xué)
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175;H03K5/01
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司45107
• 代理人: 陳躍琳

1.一種基于頻率轉(zhuǎn)換的電容傳感器接口電路，其特征在于：由基于電容變化的頻率調(diào)制電路和頻率電壓轉(zhuǎn)換電路組成；基于電容變化的頻率調(diào)制電路的輸入端形成整個接口電路的輸入端，與被測電容C_sen連接；基于電容變化的頻率調(diào)制電路的輸出端連接頻率電壓轉(zhuǎn)換電路的輸入端；頻率電壓轉(zhuǎn)換電路的輸出端形成整個接口電路的輸出端V_out；通過基于電容變化的頻率調(diào)制電路先將被測電容值C_sen轉(zhuǎn)換為頻率值，再通過頻率電壓轉(zhuǎn)換電路將頻率值轉(zhuǎn)換為電壓值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于頻率轉(zhuǎn)換的電容傳感器接口電路，其特征在于：上述基于電容變化的頻率調(diào)制電路由PMOS管PM₁～PM₂，NMOS管NM₁～NM₅和反相器INV₁組成；

PMOS管PM₁和PM₂的源極和與電源VDD連接；PMOS管PM₁的柵極與漏極、NMOS管NM₁的漏極、NMOS管NM₃的柵極、以及NMOS管NM₃的柵極相連；PMOS管PM₂的柵極與漏極、NMOS管NM₃₁的漏極、NMOS管NM₁的柵極、NMOS管NM₄的柵極、以及反相器INV₁的輸入端相連；反相器INV₁的另一端形成基于電容變化的頻率調(diào)制電路的輸出端，與頻率電壓轉(zhuǎn)換電路的輸入端連接；NMOS管NM₁的源極和NMOS管NM₂的漏極相連后，形成基于電容變化的頻率調(diào)制電路的一個輸入端，與被測電容C_sen的一端連接；NMOS管N3的源極和NMOS管NM₂₄的漏極相連后，形成基于電容變化的頻率調(diào)制電路的另一個輸入端，與被測電容C_sen的另一端連接；NMOS管NM₂的源極、NMOS管NM₄的源極、以及NMOS管NM₅的漏極相連；NMOS管NM₅的柵極與外部偏置電壓V_b1連接；NMOS管NM₅的源極與地GND相連。