[實用新型]一種半導體結構

有效

• 申請號: 201721087063.0
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN207344357U
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;B24B37/10;B24B37/005;B24B49/16;B24B41/00;H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構預定義所需要的層間介質層的第一厚度，所述半導體結構包括：

單元集成層；

線路結構，形成于所述單元集成層的上表面；

具有由第二厚度減薄至第三厚度的第一層間介質層，形成于所述單元集成層的上表面，所述第一層間介質層包覆所述線路結構，所述的減薄包含所述第一層間介質層以化學機械研磨方法過度研磨，以獲得表面平坦化的第一層間介質層，所述第一厚度小于所述第二厚度，所述第三厚度小于所述第一厚度；以及

具有第四厚度的第二層間介質層，補償沉積于具有所述第三厚度的第一層間介質層的表面，所述第二層間介質層修復所述第一層間介質層研磨產生的表面缺陷，所述第二層間介質層與所述第一層間介質層兩者疊加為所述半導體結構所需要的層間介質層，并且所述第四厚度小于等于所述第三厚度。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述線路結構的第五厚度小于所述第一層間介質層的所述第三厚度，并且所述第一層間介質層與所述第二層間介質層覆蓋于所述線路結構上的厚度在300～1000埃。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第二層間介質層的材料與所述第一層間介質層的材料相同。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述第一層間介質層以及所述第二層間介質層的材料均為氧化硅。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體結構，其特征在于，所述第二層間介質層的所述第四厚度大于所述表面缺陷的深度，以填補并修復所述表面缺陷，且所述第二層間介質層的所述第四厚度依據所述第一層間介質層的所述第三厚度調控，以使所述第二層間介質層的所述第四厚度與所述第一層間介質層的所述第三厚度之和為所述半導體結構所需要的層間介質層的所述第一厚度。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述第二層間介質層的所述第四厚度為300～1000埃，以修復所述表面缺陷并提供所述半導體結構所需要的層間介質層的平坦化 表面。