[實用新型]互嵌殼型電極三維探測器

有效

• 申請號: 201721077852.6
• 申請日: 2017-08-27
• 公開（公告）號: CN207164265U
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 李正;張亞
• 申請（專利權）人: 湘潭大學
• 主分類號: G01V3/08
• 分類號: G01V3/08
• 代理公司: 長沙星耀專利事務所(普通合伙)43205
• 代理人: 寧星耀

1.一種互嵌殼型電極三維探測器，其特征在于，互嵌殼型電極三維探測器單元包括矩形溝槽電極(201)，矩形溝槽電極(201)的下方刻蝕有六邊形溝槽電極(202)，六邊形溝槽電極(202)的截面為矩形溝槽電極(201)的矩形截面切去對角線上的兩個邊角而形成的六邊形，矩形溝槽電極(201)與六邊形溝槽電極(202)在Z軸上有重合，矩形溝槽電極(201)與六邊形溝槽電極(202)在X、Y平面內重疊的部分為貫穿刻蝕；矩形溝槽電極(201)與六邊形溝槽電極(202)在X、Y平面內不重疊的部分形成死區，死區包括第一死區(402)和第二死區(403)，第一死區(402)為矩形溝槽電極(201)與六邊形溝槽電極(202)在Z軸上重合的死區，第一死區(402)的底部與六邊形溝槽電極(202)的外壁圍合成第二死區(403)；矩形溝槽電極(201)與六邊形溝槽電極(202)共同構成溝槽電極，溝槽電極的中心包圍有貫穿刻蝕的中心陰極(301)，溝槽電極與中心陰極(301)之間填充有硅基體(401)；第一死區(402)、第二死區(403)分別與硅基體(401)連通；中心陰極(301)的表面設有陽極金屬接觸層(101)，溝槽電極的表面設有陰極金屬接觸層(103)，陽極金屬接觸層(101)接正極，陰極金屬接觸層(103)接負極，每四個互嵌殼型電極三維探測器單元以鏡像方式排列形成一個排列單元，多個排列單元組成陣列。

2.根據權利要求1所述的一種互嵌殼型電極三維探測器，其特征在于，所述每四個互嵌殼型電極三維探測器單元以鏡像方式排列具體為：互嵌殼型電極三維探測器單元的后側有第一死區(402)的一端為A端，互嵌殼型電極三維探測器單元的前側有第一死區(402)的一端為B端，多個互嵌殼型電極三維探測器單元以的方式排列，即以鏡像的四個探測器單元為一個排列單元，多個排列單元組成陣列。

3.根據權利要求1所述的一種互嵌殼型電極三維探測器，其特征在于，所述中心陰極(301)的厚度與探測器的厚度相同，均為d，d的取值范圍為200-500微米，矩形溝槽電極(201)的厚度為90％d，六邊形溝槽電極(202)的厚度為10％～20％d，矩形溝槽電極(201)與六邊形溝槽電極(202)在Z軸上重合厚度為0-10％d。

4.根據權利要求1所述的一種互嵌殼型電極三維探測器，其特征在于，所述第一死區(402)和第二死區(403)的厚度比例為1:1。

5.根據權利要求1所述的一種互嵌殼型電極三維探測器，其特征在于，所述矩形溝槽電極(201)與六邊形溝槽電極(202)的寬度均為w，矩形溝槽電極(201)與六邊形溝槽電極(202)之間的距離為w。

6.根據權利要求1所述的一種互嵌殼型電極三維探測器，其特征在于，所述矩形溝槽電極(201)、六邊形溝槽電極(202)、中心陰極(301)的摻雜濃度相同，中心陰極(301)重摻雜p型硅，矩形溝槽電極(201)、六邊形溝槽電極(202)為重摻雜n型硅；硅基體(401)與第一死區(402)、第二死區(403)的摻雜濃度相同，均為輕摻雜硅。

7.根據權利要求1所述的一種互嵌殼型電極三維探測器，其特征在于，所述陽極金屬接觸層(101)、陰極金屬接觸層(103)的厚度均為1微米。

8.根據權利要求1所述的一種互嵌殼型電極三維探測器，其特征在于，所述探測器的上表面設有二氧化硅保護層Ⅰ(102)，探測器的下表面設有二氧化硅保護層Ⅱ(501)，二氧化硅保護層Ⅰ(102)、二氧化硅保護層Ⅱ(501)厚度均為1微米。