[實(shí)用新型]一種日盲紫外單光子成像系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721074538.2 | 申請日: | 2017-08-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207197676U | 公開(公告)日: | 2018-04-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王興;劉虎林;田進(jìn)壽;韋永林;溫文龍;何凱;辛麗偉 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所 |
| 主分類號(hào): | G01J11/00 | 分類號(hào): | G01J11/00;G01J5/20 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司61211 | 代理人: | 汪海艷 |
| 地址: | 710119 陜西省西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 紫外 光子 成像 系統(tǒng) | ||
1.一種日盲紫外單光子成像系統(tǒng),其特征在于:包括真空腔室、光電陰極、背照式CMOS、讀出電路及圖像采集與顯示單元;
還包括透紫外玻璃,紫外單光子信號(hào)入射穿過透紫外玻璃;
所述光電陰極與背照式CMOS位于真空腔室內(nèi),所述光電陰極附著于透紫外玻璃表面且正對(duì)背照式CMOS,所述背照式CMOS位于光電陰極相對(duì)側(cè)的真空腔室內(nèi)壁上;
所述光電陰極設(shè)置有高壓電極引線,高壓電極引線與讀出電路連接,通過外部高壓電源供電;
所述背照式CMOS設(shè)置有電極引腳,所述電極引腳與讀出電路連接;
所述讀出電路與圖像采集與顯示單元連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的日盲紫外單光子成像系統(tǒng),其特征在于:所述真空腔室由透紫外玻璃、管殼及銦封環(huán)構(gòu)成,所述背照式CMOS位于管殼內(nèi)壁上,所述管殼通過銦封環(huán)與透紫外玻璃銦封;所述管殼的材料為陶瓷或玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的日盲紫外單光子成像系統(tǒng),其特征在于:還包括陶瓷封接芯柱,所述高壓電極引線及電極引腳均通過陶瓷封接芯柱引出真空腔室,所述陶瓷封接芯柱與讀出電路板連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的日盲紫外單光子成像系統(tǒng),其特征在于:所述光電陰極為Cs-Te、Rb-Te光電陰極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的日盲紫外單光子成像系統(tǒng),其特征在于:所述透紫外玻璃設(shè)置于真空腔室內(nèi),所述真空腔室包括透紫外玻璃窗、電極引線法蘭與真空閘板閥,通過真空泵組對(duì)真空腔室抽真空實(shí)現(xiàn)真空環(huán)境,所述透紫外玻璃正對(duì)真空腔室的紫外玻璃窗,所述高壓電極引線及電極引腳均通過電極引線法蘭引出真空腔室,所述電極引線法蘭與讀出電路板連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的日盲紫外單光子成像系統(tǒng),其特征在于:所述透紫外玻璃設(shè)置于真空腔室內(nèi),所述真空腔室包括紫外玻璃窗、電極引線法蘭與銦封環(huán),所述透紫外玻璃正對(duì)真空腔室的紫外玻璃窗,設(shè)置有透紫外玻璃窗的真空腔室部分與設(shè)置有電極引線法蘭的真空腔室部分通過銦封環(huán)銦封。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的日盲紫外單光子成像系統(tǒng),其特征在于:所述光電陰極的材料為金或CsI、KBr。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2或5或6所述的日盲紫外單光子成像系統(tǒng),其特征在于:所述光電陰極與背照式CMOS之間的距離為0.5mm-5mm;所述光電陰極的厚度為20nm-100nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的日盲紫外單光子成像系統(tǒng),其特征在于:所述圖像采集與顯示單元設(shè)置有無線傳輸單元。
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