[實用新型]一種CZ直拉法硅單晶爐副室取棒裝置

有效

• 申請號: 201721059463.0
• 申請日: 2017-08-23
• 公開（公告）號: CN207331105U
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發明（設計）人: 馬四海;張笑天;馬青
• 申請（專利權）人: 馬四海
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112
• 代理人: 劉躍

本實用新型公開了一種CZ直拉法硅單晶爐副室取棒裝置，包括有基座，其特征在于：所述基座上架設有固定框架，所述固定框架上設有可升降的升降平臺，所述升降平臺由其底端的液壓缸驅動，所述升降平臺上安裝有伸縮臂，所述伸縮臂由其后端的絲桿驅動，所述伸縮臂的前端安裝有抱夾裝置。本實用新型結構設計合理，通過抱夾裝置上的絲桿的進動伸縮帶動抱夾的張與合，來抱緊、松開單晶硅棒，很好地解決了在狹長的有限空間內抱夾晶棒以及大尺寸硅單晶爐副室取棒的難題，可根據需要進行實時調節，方便操作控制，人工省時省力，取棒效率高。

技術領域：

本實用新型涉及機械設計領域，主要涉及一種CZ直拉法硅單晶爐副室取棒裝置。

背景技術：

硅單晶爐是一種軟軸提拉型單晶爐，在惰性氣體的保護環境中，以高純的石墨電阻加熱器，將半導體多晶硅高溫融化，用直拉法的方式生長出一種無位錯的單晶硅棒。但是單晶硅生長的條件要求十分地苛刻，從原料、熱場、控制系統、保護性氣體、設備、石英坩堝等等，每一個環節都必須認真地做到位。

硅單晶爐的真空環境主要由主爐室、爐蓋、副爐室等組成，主爐室的結構是寬大、扁短，空間比較的寬敞，對于副爐室的結構特點是深長、空間相對比較狹小 。對于一些硅單晶爐的副室、爐蓋、主室三者是可以分離的。對于生長出的硅單晶棒要從硅單晶爐內取出，需要將單晶硅棒提拉上升到副室筒內，將爐蓋與主室用翻板閥隔離上下空間。然后將副室升起與爐蓋分離，最后旋轉副室到一邊緩慢下降硅棒將硅棒用硅棒轉移裝置轉移。

目前市場上CZ直拉法硅單晶爐生長的硅單晶棒的尺寸在6-8英寸。隨著技術的進步對于單晶硅棒的直徑尺寸要求越來越大，目前生長的12英寸以上的硅單晶棒的單晶爐設備，對于一些大尺寸硅單晶爐（12英寸以上硅單晶棒的單晶爐）副室與爐蓋不可以分開，這樣會出現正常生產過程中拉制硅單晶A/B兩段的情況下，無法在正常生產過程中將副室移開單獨取下硅單晶A棒帶來難題。在這樣的實際背景下，針對地設計一種新型硅單晶爐副室取棒裝置。

實用新型內容：

本實用新型目的就是為了彌補已有技術的缺陷，提供一種CZ直拉法硅單晶爐副室取棒裝置，解決大尺寸12英寸以上硅單晶爐出現拉制A\B棒情況下，不可以單獨移開副室取棒的條件下需要從副室中取出硅單晶A棒。

本實用新型是通過以下技術方案實現的：

一種CZ直拉法硅單晶爐副室取棒裝置，包括有基座，其特征在于：所述基座上架設有固定框架，所述固定框架上設有可升降的升降平臺，所述升降平臺由其底端的液壓缸驅動，所述升降平臺上安裝有伸縮臂，所述伸縮臂由其后端的絲桿驅動，所述伸縮臂的前端安裝有抱夾裝置。

所述的基座的底端安裝有行走輪，所述基座上分布有可升降的支撐桿。

所述的升降平臺的四個拐角分別設有導向輪，所述導向輪與固定框架立柱上的導軌導向配合。

所述固定框架的上端部分別安裝有兩相對應的固定梁，所述固定梁上分別安裝有滑輪，所述滑輪中有鋼絲繩繞過，所述鋼絲繩的一端固定在升降平臺上，另一端固定在液壓缸的缸體固定板上。

所述的滑輪為四個，兩兩對稱設置在固定梁上，所述的液壓缸為兩個。

所述的抱夾裝置包括有安裝在伸縮臂前端的固定板，所述固定板上安裝有上下間隔成列設置的抱夾，所述抱夾分別包括有兩相互對應設置的左、右夾爪，所述左、右夾爪的兩端分別通過槽形連桿連接，所述槽形連桿的兩端拐角處分別通過轉銷鉸接在固定座上，所述固定座安裝在固定板上，所述槽形連桿的中部通過頂桿與固定板導向配合，且頂桿上套裝有與固定板旋合的中空的絲桿管，且頂桿的端部安裝有限位板。

所述的抱夾為三個，上下間隔設置。

所述的槽形連桿的內拐角處設有用于連接相鄰連桿的弧形加固拐臂。

本實用新型的優點是：