[實用新型]具有零件磨損指示器的腔室部件和等離子體處理腔室有效
| 申請號: | 201721053566.6 | 申請日: | 2017-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN207676882U | 公開(公告)日: | 2018-07-31 |
| 發明(設計)人: | 麥特斯·拉爾森;凱文·A·派克 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 零件磨損 腔室部件 指示器 等離子體處理腔室 第一層 頂表面 本實用新型 指示器材料 示蹤材料 透明的 | ||
1.一種具有零件磨損指示器的腔室部件,其特征在于,所述腔室部件包括:
部件主體,具有頂表面和底表面;以及
零件磨損指示器,具有設置在所述部件主體中的指示器主體,所述指示器主體包括:
透明的第一層;以及
第二層,包括示蹤材料,其中所述第一層比所述第二層更靠近所述頂表面。
2.如權利要求1所述的腔室部件,其特征在于,所述示蹤材料可由電磁能量激發,并且在取決于所述示蹤材料的組合物的頻率下輻射能量。
3.如權利要求1所述的腔室部件,其特征在于,所述示蹤材料與環氧樹脂混合。
4.如權利要求1所述的腔室部件,其特征在于,所述示蹤材料包括:
與環氧樹脂混合的磷光體。
5.如權利要求1所述的腔室部件,其特征在于,所述示蹤材料包括:
上轉換材料。
6.如權利要求5所述的腔室部件,其特征在于,所述上轉換材料是從由NaY1.54Yb0.40Er0.06F5O、NaY0.77Yb0.20Er0.03F4和NaY0.77Yb0.20Tm0.03F4組成的組中選擇的一或多種材料。
7.如權利要求6所述的腔室部件,其特征在于,所述上轉換材料的制劑被混合以形成唯一可識別的發射波長。
8.如權利要求1所述的腔室部件,其特征在于,所述零件磨損指示器為材料的環形層或材料的分立插件。
9.如權利要求1所述的腔室部件,其特征在于,所述部件主體形成環、襯里、噴頭、ESC或氣體分配板。
10.一種等離子體處理腔室,其特征在于,所述等離子體處理腔室包括:
腔室主體,具有內部空間;
基板支撐件,設置在所述內部空間中;
能量源;
傳感器;
第一腔室部件,設置在所述腔室主體的所述內部空間中,所述第一腔室部件包括:
部件主體,具有頂表面和底表面;以及
零件磨損指示器,具有設置在所述部件主體中的指示器主體,所述指示器主體包括:
透明的第一層;以及
第二層,包括示蹤材料,其中所述第一層比所述第二層更靠近所述頂表面,所述示蹤材料當由來自所述能量源的能量激發時輻射可由所述傳感器檢測的能量。
11.如權利要求10所述的等離子體處理腔室,其特征在于,所述等離子體處理腔室進一步包括:
第二腔室部件,具有第二零件磨損指示器。
12.如權利要求11所述的等離子體處理腔室,其特征在于,設置在所述第一腔室部件中的所述示蹤材料在與設置在所述第二腔室部件中的示蹤材料不同的頻率下輻射能量。
13.如權利要求10所述的等離子體處理腔室,其特征在于,所述示蹤材料包括:
磷光體。
14.如權利要求10所述的等離子體處理腔室,其特征在于,所述示蹤材料包括:
上轉換材料。
15.如權利要求14所述的等離子體處理腔室,其特征在于,所述上轉換材料是從由NaY1.154Yb0.40Er0.06F5O、NaY0.77Yb0.20Er0.03F4和NaY0.77Yb0.20Tm0.03F4組成的組中選擇的一或多種材料。
16.如權利要求14所述的等離子體處理腔室,其特征在于,所述第一腔室部件為環、襯里、噴頭、ESC或氣體分配板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





