[實用新型]一種AlN外延層以及AlGaN光電器件有效
| 申請號： | 201721046000.0 | 申請日： | 2017-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN207818524U | 公開（公告）日： | 2018-09-04 |
| 發明（設計）人： | 何晨光;趙維;吳華龍;張康;賀龍飛;陳志濤 | 申請（專利權）人： | 廣東省半導體產業技術研究院 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L33/02;H01L31/0304;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 錢學宇 |
| 地址： | 510000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 沉積 光電器件 成核層 外延層 位錯 表面缺陷 快速沉積 缺陷修復 隔絕層 半導體外延 外延層表面 表面平整 表面遷移 藍寶石 點缺陷 生長 襯底 平整 遷移 釋放 保證 | ||
【權利要求書】：
1.一種AlN外延層，其特征在于，依次包括：
藍寶石襯底；
N極性隔絕層，所述N極性隔絕層的厚度為1～5nm，其有機鋁的量相對富裕，具有Al極性的單一性；
成核層，所述成核層的厚度為20～50nm，其表面質量好；
缺陷修復層，所述缺陷修復層的厚度為100～800nm，其表面具有島狀模式生長的AlN；
以及快速沉積層，所述快速沉積層的厚度為大于等于1000nm。
2.一種AlGaN光電器件，其特征在于，包括如權利要求1所述的AlN外延層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
