[發明專利]一種改善多晶黑硅太陽電池晶向間差異的工藝方法

有效

• 申請號: 201710874428.2
• 申請日: 2017-09-25
• 公開（公告）號: CN107742660B
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發明（設計）人: 劉慶平;張明明;黃明;陸祥;楊曉琴;付少劍
• 申請（專利權）人: 江西展宇新能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10
• 代理公司: 南昌恒橋知識產權代理事務所(普通合伙) 36125
• 代理人: 楊志宇

1.一種改善多晶黑硅太陽電池晶向間差異的工藝方法，其特征為：由下列步驟組成：（1）堿拋光：

第1步：在可定量補加化學品、水的耐酸堿槽體內配置濃度為9-11% 的KOH 溶液及用于控制反應速度的添加劑A；

第2步：將該溶液加熱到75-80℃ ；

第3步：將多晶硅片浸入此溶液中反應190-230s；

第4步：將浸泡后的硅片取出，后對藥液補加0.4-0.6%體積的KOH溶液，0.04-0.06%體積的添加劑A，及1-2%體積的水，每經過8-12批排放4-6%體積的藥液；

（2）正常濕法黑硅制絨：

第1步：在濕法黑硅機內采用0.6-1%的HF及含有超低銀離子的添加劑B混合溶液內，在硅片表面沉積銀粒子，時間為110-150s ；

第2 步：在濕法黑硅機內采用0.3-0.7%的HF、8-12%的H₂O₂、用于加速脫泡的添加劑C及用于抑制反應速度的添加劑D混合溶液內利用金屬輔助化學腐蝕原理在硅片表面進行挖孔，時間為200-260s，制作形成的孔洞深度為500-650nm；

第3 步：利用含有3-5%的NH₃·H₂O及4-7%的H₂O₂的混合溶液內對沉積的銀粒子進行去除，時間為200-300s；

第4 步：利用常規的酸制絨原理對形成的深孔洞進行擴大，優化絨面結構，最終在硅片表面形成深度為480-630nm的孔徑為600-700nm的圓洞形絨面，擴孔時間為 100-200s。

2.如權利要求1所述的一種改善多晶黑硅太陽電池晶向間差異的工藝方法，其特征為：由下列步驟組成：（1）堿拋光；（2）正常濕法黑硅制絨；

（1）堿拋光的具體工藝步驟：

第1步：在可定量補加化學品、水的耐酸堿槽體內配置濃度為10% 的KOH 溶液及用于控制反應速度的添加劑A；

第2步：將該溶液加熱到77℃；

第3步：將多晶硅片浸入此溶液中反應220s；

第4步：每批硅片取出后對藥液補加0.5%體積的KOH溶液0.05%體積的添加劑A及1.5%體積的水，每經過10批排放5%體積的藥液；

（2）濕法制絨的具體工藝步驟：

第1步：在濕法黑硅機內采用0.8%的HF及含有超低銀離子的添加劑B混合溶液內，在硅片表面沉積銀粒子，時間為130s；

第2步：在濕法黑硅機內采用0.5%的HF及10%的H₂O₂、用于加速脫泡的添加劑C及用于抑制反應速度的添加劑D混合溶液內利用金屬輔助化學腐蝕原理在硅片表面進行挖孔，時間為230s，制作形成的孔洞深度為550nm；

第3步：利用含有4%的NH₃·H₂O及5.5%的H₂O₂的混合溶液內對沉積的銀粒子進行去除，時間為250s；

第4步：利用常規的酸制絨原理對形成的深孔洞進行擴大，優化絨面結構，最終在硅片表面形成深度為550nm的孔徑為630nm的圓洞形絨面，擴孔時間為150s。