[實(shí)用新型]電路板和電磁爐

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721034328.0
• 申請(qǐng)日: 2017-08-17
• 公開（公告）號(hào): CN207122935U
• 公開（公告）日: 2018-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龍開銀;楊劍;史庭飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江紹興蘇泊爾生活電器有限公司
• 主分類號(hào): F24C7/08
• 分類號(hào): F24C7/08;H05B6/06;H05B6/12
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205
• 代理人: 文小莉,黃健

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種電磁爐，特別涉及一種電路板和電磁爐。

背景技術(shù)

電磁爐是一種廣泛使用的烹飪器具，其工作原理是：依靠電路板上的橋堆進(jìn)行整流后再通過絕緣柵雙極性晶體管(insulated-gate-bipolar transistor，簡(jiǎn)稱：IGBT)不停的開通、關(guān)斷來(lái)產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，因此，IGBT是電路板上重要的元器件。

目前，電磁爐的電路板上還包括多個(gè)其他元器件，例如，橋堆、電感、電容、電阻、晶體管等，IGBT、橋堆、電感、電容、電阻和晶體管按電氣原理圖均布在電路板上。

然而，上述元器件均布在電路板上時(shí)，由于IGBT工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的熱能，使得IGBT周邊區(qū)域的電路板具有極高的溫度，這樣在該區(qū)域設(shè)置的元器件處于高溫環(huán)境中，從而對(duì)元器件的使用性能造成影響，同時(shí)IGBT元件本身也容易因?yàn)殚L(zhǎng)期的高溫環(huán)境造成損壞。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了解決背景技術(shù)中提到的涉及電磁爐內(nèi)電路板上低功耗器件受IGBT高溫影響而造成低功耗器件易損壞的至少一個(gè)問題，本實(shí)用新型提供一種電路板和電磁爐，避免了IGBT對(duì)其他低功耗器件的高溫影響，延長(zhǎng)了低功耗器件的使用壽命。

本實(shí)用新型提供一種電路板，所述電路板上設(shè)有絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)和低功耗器件，所述電路板上劃分有高功耗區(qū)和低功耗區(qū)，其中所述IGBT位于所述高功耗區(qū)中，所述低功耗器件位于所述低功耗區(qū)，且所述IGBT與所述低功耗器件之間的距離均大于30mm。

通過IGBT位于所述高功耗區(qū)中，所述低功耗器件位于所述低功耗區(qū)，且所述IGBT與所述低功耗器件之間的距離均大于30mm，這樣使得低功耗器件(橋堆、電感、電容、電阻和晶體管等)遠(yuǎn)離IGBT的周邊高功耗區(qū)域，從而避免了IGBT產(chǎn)生的熱量對(duì)周圍設(shè)置的低功耗器件(橋堆、電感、電容、電阻和晶體管等)的影響，降低了各低功耗器件的工作環(huán)境溫度，延長(zhǎng)了低功耗器件本身的性能，同時(shí)IGBT也減少了周邊低功耗器件對(duì)其溫度的反向影響，同時(shí)，IGBT與低功耗器件之間的間隔區(qū)域?yàn)榭諘鐓^(qū)域，從而更利于IGBT和低功耗器件的散熱效率，使得整機(jī)的性能得到極大的提高，因此，本實(shí)用新型提供的電路板解決了現(xiàn)有電磁爐中電路板上低功耗器件受IGBT高溫影響而造成低功耗器件易損壞的技術(shù)問題。

可選的，所述IGBT與所述高功耗區(qū)的外邊緣之間的距離大于30mm。

可選的，所述高功耗區(qū)的至少一邊緣與所述電路板的外邊緣重合，且所述IGBT懸空設(shè)在所述高功耗區(qū)與所述電路板重合的外邊緣上。

可選的，所述電路板的高功耗區(qū)內(nèi)開設(shè)用于放置所述IGBT的開孔槽，所述IGBT設(shè)在所述開孔槽內(nèi)。

可選的，所述高功耗區(qū)內(nèi)設(shè)有散熱片，所述散熱片設(shè)在所述IGBT上。

可選的，所述高功耗區(qū)內(nèi)設(shè)有溫度傳感器，所述溫度傳感器與所述IGBT的引腳電性相連。

可選的，所述低功耗器件包括橋堆、電感、電容、電阻和晶體管。

本實(shí)用新型還提供一種電磁爐，至少包括：上述任一所述的電路板。

通過包括上述實(shí)施例的電路板，由于該電路板上的各器件排布合理，使得電路板上的低功耗器件遠(yuǎn)離了IGBT器件的高功耗區(qū)域，這樣避免了電路板上低功耗器件受IGBT高溫的影響而造成元件器使用性能降低的問題，同時(shí)電路板上的合理分布更利于各低功耗器件的散熱，使得電磁爐的性能得到提高，解決了現(xiàn)有電磁爐中電路板上低功耗器件受高溫影響造成低功耗器件易損壞的問題。

本實(shí)用新型的構(gòu)造以及它的其他實(shí)用新型目的及有益效果將會(huì)通過結(jié)合附圖而對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的描述而更加明顯易懂。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型提供的電路板的的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

電路板-1；

高功耗區(qū)-101；

散熱片-11；

IGBT-12；

溫度傳感器-13；

低功耗區(qū)-201；

低功耗器件-20；

電感-21；

橋堆-22；

電阻-23；

晶體管-24；

電容-25。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例一

圖1是本實(shí)用新型提供的電路板的的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，電路板1上設(shè)有IGBT12和低功耗器件20，其中，本實(shí)施例中，低功耗器件20分別為橋堆22、電感21、電容25、電阻23和晶體管24等器件。