[實(shí)用新型]一種功率半導(dǎo)體器件的復(fù)合型耐壓環(huán)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721034260.6
• 申請(qǐng)日: 2017-08-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207474466U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁力鵬;徐吉程;范瑋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安華羿微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種功率半導(dǎo)體器件的復(fù)合型耐壓環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括至少一個(gè)耐壓環(huán)結(jié)構(gòu)，每個(gè)耐壓環(huán)結(jié)構(gòu)包括第一場(chǎng)限環(huán)、與所述第一場(chǎng)限環(huán)橫向連接的pn結(jié)延展區(qū)、與所述pn結(jié)延展區(qū)橫向相鄰且連接的第二場(chǎng)限環(huán)，所述第一場(chǎng)限環(huán)和所述第二場(chǎng)限環(huán)位于所述pn結(jié)延展區(qū)兩側(cè)位置，其中，所述pn結(jié)延展區(qū)與所述第一場(chǎng)限環(huán)和所述第二場(chǎng)限環(huán)的側(cè)面和底面同時(shí)接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導(dǎo)體器件的復(fù)合型耐壓環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述pn結(jié)延展區(qū)與所述第一場(chǎng)限環(huán)的摻雜類型相同，且摻雜濃度低于所述第一場(chǎng)限環(huán)的摻雜濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種功率半導(dǎo)體器件的復(fù)合型耐壓環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二場(chǎng)限環(huán)與所述pn結(jié)延展區(qū)的摻雜類型相同，且摻雜濃度高于所述pn結(jié)延展區(qū)的摻雜濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種功率半導(dǎo)體器件的復(fù)合型耐壓環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一場(chǎng)限環(huán)和所述第二場(chǎng)限環(huán)的摻雜濃度相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種功率半導(dǎo)體器件的復(fù)合型耐壓環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述pn結(jié)延展區(qū)的結(jié)深大于所述第一場(chǎng)限環(huán)和所述第二場(chǎng)限環(huán)的結(jié)深，所述第二場(chǎng)限環(huán)的結(jié)深與所述第一場(chǎng)限環(huán)的結(jié)深相同。