[實(shí)用新型]一種核殼結(jié)構(gòu)發(fā)白光器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721030708.7 | 申請(qǐng)日： | 2017-08-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN207250548U | 公開（公告）日： | 2018-04-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王彩鳳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 濱州學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/08 | 分類號(hào)： | H01L33/08 |
| 代理公司： | 威海科星專利事務(wù)所37202 | 代理人： | 于濤 |
| 地址： | 264200 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 結(jié)構(gòu) 白光 器件 | ||
1.一種核殼結(jié)構(gòu)發(fā)白光器件，其特征在于該發(fā)白光器件的底部襯底為GaN襯底層，GaN襯底層的上方設(shè)有ZnO薄膜種子層，ZnO薄膜種子層上方設(shè)有ZnO納米棒，所述的ZnO納米棒周圍包覆ZnS:Mn薄膜殼層，ZnO納米棒和ZnS:Mn薄膜殼層構(gòu)成ZnO/ZnS:Mn核殼納米棒陣列，ZnS:Mn薄膜殼層、ZnO納米棒、ZnO薄膜種子層、GaN襯底層構(gòu)成ZnS:Mn/ZnO/GaN核殼納米棒陣列器件，ZnS:Mn/ZnO/GaN核殼納米棒陣列器件在325nm波長的紫外光激發(fā)下，GaN襯底層發(fā)出的藍(lán)光可以透過上面材料，并與ZnO納米棒的黃綠光和ZnS:Mn薄膜殼層的橙紅光疊加在一起，獲得白光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種核殼結(jié)構(gòu)發(fā)白光器件，其特征在于所述的ZnO/ZnS:Mn核殼納米棒陣列的陣列縫隙和頂部填充設(shè)有透明導(dǎo)電薄膜，所述的GaN襯底層表面設(shè)有Pt/Ni電極，帶有透明導(dǎo)電薄膜的ZnS:Mn/ZnO核殼層表面設(shè)有Pt/Ti電極，在正向電壓激勵(lì)下，該器件呈現(xiàn)白光發(fā)射。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種核殼結(jié)構(gòu)發(fā)白光器件，其特征在于所述的透明導(dǎo)電薄膜為ITO透明導(dǎo)電薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種核殼結(jié)構(gòu)發(fā)白光器件，其特征在于所述的ZnS:Mn薄膜殼層中的Mn2+的摻雜濃度為1%~3%。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種核殼結(jié)構(gòu)發(fā)白光器件，其特征在于所述的ZnS:Mn薄膜殼層中的Mn2+的最優(yōu)化摻雜濃度為1%。
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