[實用新型]GaN半導體器件有效
| 申請號： | 201721026156.2 | 申請日： | 2017-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN207381406U | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發明（設計）人： | 金榮善;金峻淵;李尚俊;駱薇薇;孫在亨 | 申請（專利權）人： | 英諾賽科（珠海）科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 鄭彤;萬志香 |
| 地址： | 519000 廣東省珠海市唐家灣鎮*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gan 半導體器件 | ||
1.一種GaN半導體器件，其特征在于，包括：
基板；
設置于所述基板上的晶種層；
設置于所述晶種層上的緩沖層；
設置于所述緩沖層上的氮化鎵層；
設置于所述氮化鎵層上的AlxGa1-xN層；
設置于所述AlxGa1-xN層上的氮化鋁層；
設置于所述氮化鋁層上的p-GaN層。
2.根據權利要求1所述的GaN半導體器件，其特征在于，所述p-GaN層、所述氮化鋁層以及所述AlxGa1-xN層中Al的含量依次遞增。
3.根據權利要求1所述的GaN半導體器件，其特征在于，所述氮化鋁層與所述p-GaN層之間還設有氮化鋁鎵層。
4.根據權利要求3所述的GaN半導體器件，其特征在于，所述p-GaN層、所述氮化鋁層、所述氮化鋁鎵層以及所述AlxGa1-xN層中Al的含量依次遞增。
5.根據權利要求4所述的GaN半導體器件，其特征在于，所述氮化鋁鎵層的厚度為3nm～50nm。
6.根據權利要求1-5任一項所述的GaN半導體器件，其特征在于，所述晶種層的材質為氮化鋁、氮化鎵或氮化鋁鎵。
7.根據權利要求1-5任一項所述的GaN半導體器件，其特征在于，所述緩沖層的材質為氮化鋁、氮化鎵或氮化鋁鎵。
8.根據權利要求1-5任一項所述的GaN半導體器件，其特征在于，所述氮化鎵層為碳沉積氮化鎵層、非摻雜氮化鎵層或復合層，所述復合層為多層交互層疊的碳沉積氮化鎵層和非摻雜氮化鎵層。
9.根據權利要求1-5任一項所述的GaN半導體器件，其特征在于，所述晶種層的厚度為0.5um～10um；所述緩沖層的厚度為0.1um～1um；所述AlxGa1-xN層的厚度為1nm～10nm；所述p-GaN層的厚度為40nm～150nm。
10.一種半導體裝置，其特征在于，包括權利要求1-9任一項所述的GaN半導體器件。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于英諾賽科（珠海）科技有限公司，未經英諾賽科（珠海）科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721026156.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：能源監測及節能控制系統
- 下一篇：可調節瞳距物距的虛擬現實裝置
- 同類專利
- 專利分類
