[實用新型]一種多波長高功率半導(dǎo)體激光器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721023286.0
• 申請日: 2017-08-16
• 公開（公告）號: CN207074784U
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李軍;席道明;陳云;呂艷釗;魏皓
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇天元激光科技有限公司
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/024
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多波長高功率半導(dǎo)體激光器，其特征在于，包括：

具有第一激光芯片的第一激光系統(tǒng)；

具有與所述第一激光芯片不同輸出波長的第二激光芯片的第二激光系統(tǒng)；

將所述第一激光系統(tǒng)與所述第二激光系統(tǒng)輸出的光束進(jìn)行疊加耦合，實現(xiàn)尾纖輸出的激光合束系統(tǒng)；以及

面向所述激光合束系統(tǒng)的光纖；

其中，所述第一激光系統(tǒng)與所述第二激光系統(tǒng)包括分別面向所述第一激光芯片與所述第二激光芯片的柱透鏡、非球面鏡及反射鏡；

所述激光合束系統(tǒng)包括接收所述第一激光系統(tǒng)的第一輸出光的全反射鏡、面向所述全反射鏡且接收所述第二激光系統(tǒng)的第二輸出光的波長合束器、及非球面聚焦透鏡，其中所述波長合束器將第一輸出光與所述第二輸出光進(jìn)行疊加耦合輸出，非球面聚焦透鏡將疊加后的光聚焦到所述光纖端面，實現(xiàn)尾纖輸出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波長高功率半導(dǎo)體激光器，其特征在于，其中所述第一激光芯片與所述第二激光芯片焊接于階梯熱沉，所述階梯熱沉成階梯狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多波長高功率半導(dǎo)體激光器，其特征在于，其中所述第一激光芯片與所述第二激光芯片設(shè)置為多個，且分別排列于所述階梯熱沉。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波長高功率半導(dǎo)體激光器，其特征在于，其中所述第一激光系統(tǒng)與所述第二激光系統(tǒng)的所述柱透鏡、所述非球面鏡鍍有與所述第一激光芯片及所述第二激光芯片出射波長匹配的高透過率膜層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多波長高功率半導(dǎo)體激光器，其特征在于，其中所述第一激光系統(tǒng)與所述第二激光系統(tǒng)的所述反射鏡鍍有與所述第一激光芯片及所述第二激光芯片出射波長匹配的全反射膜層，且所述反射鏡在所述階梯熱沉上成預(yù)定高度差排列，所述任一反射鏡不遮擋其他所述反射鏡反射光束的傳播。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波長高功率半導(dǎo)體激光器，其特征在于，其中所述波長合束器由體布拉格光柵結(jié)構(gòu)構(gòu)成；兩束波長不同的激光光斑重疊并呈布拉格共軛角入射到布拉格光柵上，實現(xiàn)兩束光的疊加輸出。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波長高功率半導(dǎo)體激光器，其特征在于，其中所述非球面聚焦透鏡對合束后的激光聚焦，且表面鍍有所述第一激光芯片與所述第二激光芯片出射波長匹配的高透過濾膜層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波長高功率半導(dǎo)體激光器，其特征在于，其中所述光纖為多模光纖，且在所述光纖端面鍍有所述第一激光芯片及所述第二激光芯片兩種波長的高透過率膜層及相應(yīng)激射波長的全反膜層。