[實用新型]噴嘴支架、工藝腔室和半導體處理設備

有效

• 申請號: 201721018277.2
• 申請日: 2017-08-15
• 公開（公告）號: CN207398075U
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 孫寶林
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;姜春咸

本實用新型公開了一種噴嘴支架、一種工藝腔室和一種半導體處理設備。噴嘴支架用于將噴嘴固定在頂蓋上，包括本體，該本體上設置有安裝孔，該安裝孔用于放置噴嘴，頂蓋上設置有至少一個旋緊配合槽，噴嘴支架還包括自本體向遠離安裝孔的方向凸出的至少一個旋緊配合部，該旋緊配合部與旋緊配合槽相對應，噴嘴支架相對頂蓋具有鎖止位置和拆卸位置；噴嘴支架處于鎖止位置時，旋緊配合部旋入旋緊配合槽中，噴嘴支架處于拆卸位置時，旋緊配合部旋出旋緊配合槽。該結構的噴嘴支架，配合相應地頂蓋，可以實現噴嘴支架與頂蓋的快速拆裝，且能夠有效保護頂蓋和噴嘴支架，避免出現損壞等現象發生，提高經濟效益。

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種噴嘴支架、一種包括該噴嘴支架的工藝腔室以及一種包括該工藝腔室的半導體處理設備。

背景技術

目前，等離子體裝置廣泛應用于制造集成電路(IC，Integrate dCircuit)或微機電系統(MEMS，Micro-Electro-Mechanical System)器件的制造工藝中。其中電感耦合等離子體裝置(ICP，Inductive Coupled Plasma Emission Spectrometer)被廣泛應用于刻蝕等工藝中，其原理是：在低壓下，反應氣體在射頻功率的激發下，產生電離形成等離子體。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應腔室中的氣體在電子的撞擊下，除了轉變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性反應基團。活性反應基團和被刻蝕物質表面形成化學反應并形成揮發性的反應生成物。反應生成物脫離被刻蝕物質表面，并被真空系統抽出腔體。

如圖1所示，為傳統的工藝腔室200的結構示意圖。該工藝腔室200主要包括腔體210、蓋設在腔體210頂端的頂蓋220、設置在頂蓋220上且與腔體210內部連通的噴嘴230、位于頂蓋220上方的線圈240、與線圈240電連接的射頻(RF，Radio Frequency)電源和偏壓電源。該工藝腔室200按如下過程工作：工藝氣體通過管路由固定在頂蓋220上的噴嘴230進入腔體210內，在施加了射頻電源的線圈240的激發下，工藝氣體電離成等離子體(Plasma)A，等離子體A在偏壓電源的驅動下，對固定在卡盤250上的晶片(Wafer)260進行沉積刻蝕，刻蝕后的生成物通過分子泵(Turbo Pump)270抽走。

其中，上述工藝腔室200中的噴嘴230，其是氣體能夠均勻進入到腔體210內部的一個進氣口，其密封與拆裝環節的性能也直接影響到整個工藝腔室200的維護性能。

如圖2所示，為上述工藝腔室200中所采取的固定噴嘴230的噴嘴支架100的結構示意圖。如圖2所示，噴嘴230安裝在石英制成的頂蓋220中，兩者之間有密封圈280，工程塑料材質的噴嘴支架100下部有三個卡鉤150，利用卡鉤150卡在頂蓋220的環槽226中，噴嘴壓環290壓住噴嘴230并與噴嘴支架100連接成一體，保證了密封圈280有足夠的壓縮量，確保噴嘴230與頂蓋220的安裝與密封。

但是，由于刻蝕后的生成物會沉積在頂蓋220上，故頂蓋220需要經常維護保養，由此噴嘴230需要經常拆裝，如圖2所示的結構，拆裝噴嘴230很不方便，拆裝時要壓縮噴嘴支架100下部的三個卡鉤150，而噴嘴230附近還設置有線圈240及進氣管道等，空間有限，難以操作。

其次，在安裝噴嘴230時，噴嘴支架100的卡鉤150在進入頂蓋220的環槽226時壓力消失，快速回彈，極易損壞又脆又硬的頂蓋220。

另外，噴嘴支架100為工程塑料，盡管有一定的彈性，但在高溫環境下易老化，失去彈性壓縮時斷裂，頂蓋220為成本較高的部件，其壽命直接影響機臺的耗材成本。

因此，如何設計一種新型結構的噴嘴支架，以便于拆卸成為本領域亟待解決的技術問題。

實用新型內容

本實用新型旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種噴嘴支架、一種包括該噴嘴支架的工藝腔室以及一種包括該工藝腔室的半導體處理設備。