[實(shí)用新型]一種熱效率提高的電烤箱有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721017077.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN208031025U | 公開(公告)日: | 2018-11-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王旭寧;聶文文;潘亮;王麗軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 九陽(yáng)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | A47J37/06 | 分類號(hào): | A47J37/06 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 250117 山*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 烘烤架 烘烤腔室 反射結(jié)構(gòu) 凹陷腔 后壁 本實(shí)用新型 熱效率 電烤箱 支撐架 發(fā)熱裝置 反射作用 食物烘烤 敞口的 反射部 反射面 烘烤腔 均勻性 有效地 凹陷 敞口 箱門 向后 反射 室內(nèi) 支撐 保證 | ||
本實(shí)用新型公開了一種熱效率提高的電烤箱,包括箱體,箱體設(shè)有具有敞口的烘烤腔室、發(fā)熱裝置和將烘烤腔室的敞口關(guān)閉的箱門,烘烤腔室內(nèi)設(shè)有烘烤架及用于支撐烘烤架的支撐架;所述烘烤腔室的后壁設(shè)有向后凹陷的凹陷腔,所述凹陷腔內(nèi)設(shè)有反射結(jié)構(gòu),所述反射結(jié)構(gòu)包括若干具有第一反射面的第一反射部,所述烘烤架置于所述支撐架上到位后,所述凹陷腔使得所述第一反射面與所述烘烤架之間具有間隙。根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案,當(dāng)烘烤架放置到位后,烘烤架不會(huì)與烘烤腔室后壁上的反射結(jié)構(gòu)相接觸,使得烘烤腔室后壁上的反射結(jié)構(gòu)能夠正常發(fā)揮反射作用,有效地保證了食物烘烤的均勻性。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及廚房電器技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種熱效率提高的電烤箱。
背景技術(shù)
隨著生活水平的提高,電烤箱在普通家庭中的使用也越來(lái)越普及,電烤箱是利用電熱元件所發(fā)出的輻射熱來(lái)烘烤食物的廚房電器,電熱元件一般位于電烤箱的烘烤腔室內(nèi),以對(duì)烘烤腔室內(nèi)的食物進(jìn)行輻射加熱,但是由于烘烤腔室的后壁往往是平面的,對(duì)電熱元件的熱輻射只能進(jìn)行直線反射,不能進(jìn)行多方向多角度地反射,不利于烘烤腔室內(nèi)的熱均勻性,甚至還在烘烤腔室內(nèi)留有反射不到的死角,非常不利于電烤箱烘烤食物的均勻性。因此越來(lái)越多電烤箱在烘烤腔室的后壁設(shè)有反射結(jié)構(gòu),反射結(jié)構(gòu)將電熱元件的熱輻射進(jìn)行多方向多角度地反射,以提高食物烘烤的均勻性,但是由于烘烤腔室內(nèi)往往還設(shè)有用于放置食物的烘烤架,烘烤架不可避免的會(huì)與烘烤腔室后壁上的反射結(jié)構(gòu)接觸,導(dǎo)致該部分的反射結(jié)構(gòu)不能正常發(fā)揮反射作用,進(jìn)而會(huì)降低食物烘烤的均勻性。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型解決的技術(shù)問題是提供一種熱效率提高的電烤箱。
為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型提供了一種熱效率提高的電烤箱,包括箱體,箱體設(shè)有具有敞口的烘烤腔室、發(fā)熱裝置和將烘烤腔室的敞口關(guān)閉的箱門,烘烤腔室內(nèi)設(shè)有烘烤架及用于支撐烘烤架的支撐架;所述烘烤腔室的后壁設(shè)有向后凹陷的凹陷腔,所述凹陷腔內(nèi)設(shè)有反射結(jié)構(gòu),所述反射結(jié)構(gòu)包括若干具有第一反射面的第一反射部,所述烘烤架置于所述支撐架上到位后,所述凹陷腔使得所述第一反射面與所述烘烤架之間具有間隙。
進(jìn)一步地,所述間隙大于或等于所述凹陷腔的凹陷深度。
進(jìn)一步地,所述凹陷腔的凹陷深度介于4mm-20mm之間。
進(jìn)一步地,所述凹陷腔在烘烤腔室的后壁上的投影面積占該烘烤腔室的后壁總面積的70%-90%。
進(jìn)一步地,所述第一反射部位于所述凹陷腔的后內(nèi)壁上。
進(jìn)一步地,所述凹陷腔的后內(nèi)壁設(shè)有反射凸點(diǎn)或反射凹坑,所述反射凸點(diǎn)或反射凹坑形成所述第一反射面。
進(jìn)一步地,所述反射凸點(diǎn)或反射凹坑為錐形體或圓柱體。
進(jìn)一步地,所述反射凸點(diǎn)或反射凹坑腔的最前端與最后端之間的距離介于0.2mm-2mm之間。
進(jìn)一步地,所述烘烤腔室的頂壁設(shè)有具有第二反射面的第二反射部,所述烘烤腔室的頂壁設(shè)有反射凸點(diǎn)或反射凹坑,所述反射凸點(diǎn)或反射凹坑形成所述第二反射面。
進(jìn)一步地,所述反射凸點(diǎn)或反射凹坑的最上端與最下端之間的距離介于0.2mm-2mm之間。
本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案具有如下有益效果:
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