[實用新型]一種光模塊有效
| 申請號： | 201721008402.1 | 申請日： | 2017-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN207442851U | 公開（公告）日： | 2018-06-01 |
| 發明（設計）人： | 張亮 | 申請（專利權）人： | 西安科銳盛創新科技有限公司 |
| 主分類號： | H04B10/25 | 分類號： | H04B10/25 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 劉長春 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市高新*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光模塊 光電接收器 發光源 本實用新型 合成芯片 光接口 驅動器 限幅放大器 處理器 功耗 | ||
1.一種光模塊，其特征在于，包括：發光源(11)、光電接收器(12)、合成芯片(13)和光接口(14)；其中，所述發光源(11)的負端連接所述合成芯片(13)，所述發光源(11)的正端連接直流電源；所述合成芯片(13)分別與所述發光源(11)和所述光電接收器(12)相連接；所述發光源(11)和所述光電接收器(12)分別與所述光接口(14)相連接。
2.根據權利要求1所述的光模塊，其特征在于，所述合成芯片(13)包括驅動器(131)、限幅放大器(132)和處理器(133)；其中，所述驅動器(131)分別與所述發光源(11)、所述處理器(133)相連接，所述限幅放大器(132)分別與所述光電接收器(12)、所述處理器(133)相連接，所述處理器(133)分別與所述驅動器(131)、所述限幅放大器(132)相連接。
3.根據權利要求2所述的光模塊，其特征在于，所述光電接收器(12)包括光電探測器(121)和輸入放大器(122)；其中，所述光電探測器(121)將接收到的光信號轉換成電信號，并通過所述光電探測器(121)的輸出端將所述電信號傳輸至所述輸入放大器(122)，所述輸入放大器(122)電連接至所述限幅放大器(132)。
4.根據權利要求3所述的光模塊，其特征在于，所述光電探測器(121)為橫向PiN結構GeSn光電探測器。
5.根據權利要求4所述的光模塊，其特征在于，所述GeSn光電探測器包括：
Si襯底(101)；
Ge外延層(102)，所述Ge外延層(102)設置于所述Si襯底(101)上，所述Ge外延層(102)包括水平方向依次排列的N型摻雜區(1021)、i型區(1022)和P型摻雜區(1023)；
GeSn層(103)，設置在所述i型區(1022)表面；
金屬電極(104)，一端分別連接所述N型摻雜區(1021)和所述P型摻雜區(1023)，另一端連接至所述輸入放大器(122)；
SiO
6.根據權利要求5所述的光模塊，其特征在于，所述金屬電極(104)包括正電極(1041)和負電極(1042)；其中，所述正電極(1041)的一端連接所述P型摻雜區(1023)，所述正電極(1041)的另一端連接至所述輸入放大器(122)；所述負電極(1042)一端連接所述N型摻雜區(1021)，另一端連接至所述輸入放大器(122)。
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