[實用新型]一種光接收機

有效

• 申請號: 201721008401.7
• 申請日: 2017-08-11
• 公開（公告）號: CN207369045U
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發明（設計）人: 張亮
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H04B10/60
• 分類號: H04B10/60;H04B10/69
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種光接收機，其特征在于，包括：光電二極管(11)、輸入放大器(12)和處理電路(13)；其中，所述光電二極管(11)與所述輸入放大器(12)相連接；所述輸入放大器(12)與所述處理電路(13)相連接。

2.根據權利要求1所述的光接收機，其特征在于，所述處理電路(13)包括均衡器(131)、衰減器(132)、AGC電路(133)和輸出放大器(134)；其中，

所述均衡器(131)與所述輸入放大器(12)相連接，所述衰減器(132)與所述均衡器(131)相連接，所述輸出放大器(134)與所述衰減器(132)相連接，所述AGC電路(133)的兩端分別連接衰減器(132)和所述輸出放大器(134)。

3.根據權利要求1所述的光接收機，其特征在于，所述光電二極管(11)為橫向PIN結構的GeSn光電二極管。

4.根據權利要求3所述的光接收機，其特征在于，所述光電二極管(11)包括：Si襯底(111)、晶化Ge層(112)、GeSn層(113)、正電極(114)和負電極(115)；其中，

所述晶化Ge層(112)設置于所述Si襯底(111)上，所述晶化Ge層(112)包括水平方向依次排列的N型摻雜區(1121)、i型區(1122)和P型摻雜區(1123)；

所述GeSn層(113)設置于所述i型區(1122)表面上；

所述正電極(114)的一端連接所述P型摻雜區(1123)，另一端連接至所述輸入放大器(12)；

所述負電極(115)的一端連接所述N型摻雜區(1121)，另一端連接至所述輸入放大器(12)。

5.根據權利要求4所述的光接收機，其特征在于，所述光電二極管(11)還包括鈍化層(116)，所述鈍化層(116)設置于所述晶化Ge層(112)和所述GeSn層(113)的上表面，用于隔離所述正電極(114)及所述負電極(115)。