[實用新型]一種光電探測器有效

申請號：	201721008260.9	申請日：	2017-08-11
公開（公告）號：	CN207542265U	公開（公告）日：	2018-06-26
發明（設計）人：	張亮	申請（專利權）人：	西安科銳盛創新科技有限公司
主分類號：	H01L31/105	分類號：	H01L31/105
代理公司：	西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230	代理人：	劉長春
地址：	710065 陜西省西安市高新***	國省代碼：	陜西;61
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	主體層光電探測器晶籽層襯底本實用新型金屬電極晶化表面粗糙度高量子效率高速響應界面缺陷界面特性兩側區域中間區域位錯激光
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1.一種光電探測器，其特征在于，包括：Si襯底(11)以及設置于所述Si襯底(11)上的Ge晶籽層(12)、Ge主體層(13)、GeSn層(14)及金屬電極(15)；其中，所述Ge晶籽層(12)設置于所述Si襯底(11)表面；所述Ge主體層(13)設置于所述Ge晶籽層(12)表面；所述GeSn層(14)設置于所述Ge主體層(13)中間區域之上；所述金屬電極(15)設置于所述Ge主體層(13)兩側區域之上。

2.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于，所述光電探測還包括設置于所述Ge主體層(13)和所述GeSn層(14)表面的SiO₂鈍化層(16)。

3.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于，所述Ge晶籽層(12)和所述Ge主體層(13)包括N型摻雜區、i型區和P型摻雜區。

4.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于，所述Ge晶籽層(12)的厚度為40～50nm。

5.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于，所述Ge主體層(13)的厚度為150～250nm。

6.根據權利要求1所述的光電探測器，其特征在于，所述GeSn層(14)的厚度為150～200nm。

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安科銳盛創新科技有限公司，未經西安科銳盛創新科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721008260.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。