[實用新型]一種電磁吸收超材料有效
| 申請號: | 201721007696.6 | 申請日: | 2017-08-11 |
| 公開(公告)號: | CN207490105U | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發明(設計)人: | 李鐵;余愛生;李偉;王躍林 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號: | H01Q15/00 | 分類號: | H01Q15/00;G02B5/00 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 鄧琪 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電磁吸收 超材料 電介質 復合薄膜 疊加 本實用新型 固態電介質 介質薄膜 上表面 諧振單元陣列 最小折射率 表面晶格 氮化硅 氟化鎂 可控的 折射率 自氧化 氧化鋁 共振 薄膜 調制 靈活 | ||
1.一種電磁吸收超材料,其上表面處于工作環境中,包括周期性諧振單元陣列(23),其特征在于,所述電磁吸收超材料(2)上表面設有一層電介質復合薄膜(3),該電介質復合薄膜(3)為多層不同材料的固態電介質層按不同厚度比例的疊加。
2.根據權利要求1所述的電磁吸收超材料,其特征在于,所述電介質復合薄膜(3)通過使用半導體薄膜工藝,在電磁吸收超材料表面沉積。
3.根據權利要求2所述的電磁吸收超材料,其特征在于,所述半導體薄膜工藝包括CVD、PVD或ALD。
4.根據權利要求1所述的電磁吸收超材料,其特征在于,所述電介質復合薄膜(3)對該電磁吸收超材料(2)的表面晶格共振位置和對SLR強度予以調制。
5.根據權利要求4所述的電磁吸收超材料,其特征在于,所述電介質復合薄膜(3)對該電磁吸收超材料(2)的強度調制包括使SLR的位置向短波處移動或者SLR強度減弱,為將所述電介質復合薄膜(3)的等效折射率設置為小于工作環境折射率。
6.根據權利要求4所述的電磁吸收超材料,其特征在于,所述電介質復合薄膜(3)對該電磁吸收超材料(2)的強度調制包括使SLR的位置向長波處移動或者SLR強度增強,為將所述電介質復合薄膜(3)的等效折射率設置為大于工作環境折射率。
7.根據權利要求5或6所述的電磁吸收超材料,其特征在于,所述電介質復合薄膜(3)的等效折射率neff為:
其中,N為電介質復合薄膜(3)的層數,ni為第i層介質折射率,hi為第i層介質厚度,h為復合膜總厚度。
8.根據權利要求5或6所述的電磁吸收超材料,其特征在于,所述電介質復合薄膜(3)的薄膜厚度或電介質復合薄膜(3)的等效折射率與工作環境折射率的差距與調制效果成正比,而與實現相同調制效果所需的膜厚成反比。
9.根據權利要求1所述的電磁吸收超材料,其特征在于,所述周期性諧振單元陣列(23)的諧振單元為基于LSPR或LC諧振的諧振單元。
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