[實(shí)用新型]功率半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721006961.9
• 申請(qǐng)日: 2017-08-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207265060U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙金波;曹俊;張邵華;王平;聞?dòng)老?/a>;顧悅吉;王玨
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 杭州士蘭集成電路有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11449
• 代理人: 蔡純,張靖琳

1.一種功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

位于半導(dǎo)體襯底的第一表面上的外延層，所述半導(dǎo)體襯底和所述外延層均為第一摻雜類(lèi)型，所述半導(dǎo)體襯底的第一表面附近具有第一摻雜濃度且第二表面附近具有第三摻雜濃度，所述第二表面與所述第一表面彼此相對(duì)，所述外延層具有第二摻雜濃度；

位于所述半導(dǎo)體襯底和所述外延層之間的過(guò)渡區(qū)，所述過(guò)渡區(qū)的摻雜濃度從所述第一摻雜濃度變化到所述第二摻雜濃度；

位于所述外延層上的柵疊層，所述柵疊層包括柵介質(zhì)層和柵極導(dǎo)體，所述柵介質(zhì)層夾在所述柵極導(dǎo)體和所述外延層之間；

位于所述外延層中的體區(qū)，所述體區(qū)為第二摻雜類(lèi)型，所述第二摻雜類(lèi)型與所述第一摻雜類(lèi)型相反；

位于所述體區(qū)中的第一摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)為所述第一摻雜類(lèi)型；

與所述第一摻雜區(qū)相接觸的第一接觸；以及

位于所述半導(dǎo)體襯底的第二表面上的第二接觸，

其中，所述第一摻雜濃度是第二摻雜濃度的5至100倍，所述第三摻雜濃度大于所述第一摻雜濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底在摻雜前的電阻率為1歐姆厘米至10歐姆厘米之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述外延層的電阻率為50歐姆厘米至90歐姆厘米之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一摻雜類(lèi)型為N型，所述第二摻雜類(lèi)型為P型。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一摻雜濃度為5e14每立方厘米至5e15每立方厘米。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二摻雜濃度為5e13每立方厘米至1e14每立方厘米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一摻雜類(lèi)型為P型，所述第二摻雜類(lèi)型為N型。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一摻雜濃度為1.3e15每立方厘米至1.5e16每立方厘米。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二摻雜濃度為1.5e14每立方厘米至2.6e14每立方厘米。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述外延層的厚度為50微米至140微米之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述外延層的摻雜濃度沿其厚度方向均勻分布。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底在摻雜之前減薄至預(yù)定厚度。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一摻雜濃度最小值是第二摻雜濃度最小值的5至100倍。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一摻雜濃度最大值是第二摻雜濃度最大值的5至100倍。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述過(guò)渡區(qū)的厚度小于20微米。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體器件，其中，所述功率半導(dǎo)體器件的耐壓值為1200V至1800V。