[實用新型]一種功率半導體器件溝槽型耐壓環結構

有效

• 申請號: 201720986916.8
• 申請日: 2017-08-08
• 公開（公告）號: CN207303107U
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 徐吉程;范瑋;袁力鵬
• 申請（專利權）人: 西安華羿微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種功率半導體器件溝槽型耐壓環結構，其特征在于，包括至少一個溝槽型耐壓環，每個溝槽型耐壓環包括場限環和與所述場限環橫向連接的第一柵氧化層、與所述第一柵氧化層橫向連接的多晶硅、與所述多晶硅橫向連接的第二柵氧化層、與所述第二柵氧化層橫向連接的P型主結，所述第一柵氧化層和第二柵氧化層位于所述多晶硅的兩側；所述場限環包括由內到外依次設置的第一場限環和第二場限環。

2.根據權利要求1所述的一種功率半導體器件溝槽型耐壓環結構，其特征在于：所述至少一個溝槽型耐壓環中相鄰的溝槽型耐壓環之間設置有間隔寬度。

3.根據權利要求1或2所述的一種功率半導體器件溝槽型耐壓環結構，其特征在于：所述第一場限環和第二場限環的摻雜類型、濃度和結深相同。

4.根據權利要求3所述的一種功率半導體器件溝槽型耐壓環結構，其特征在于：所述第一場限環和第二場限環與所述P型主結的摻雜類型相同，但濃度高于所述P型主結的摻雜濃度且結深也大于所述P型主結。

5.根據權利要求4所述的一種功率半導體器件溝槽型耐壓環結構，其特征在于：所述第一柵氧化層與P型主結摻雜的類型、濃度和結深相同。

6.根據權利要求5所述的一種功率半導體器件溝槽型耐壓環結構，其特征在于，所述多晶硅與第一場限環和第二場限環以及P型主結的類型相反。