[實用新型]一種基于NandFlash存儲器多通道的存儲陣列控制裝置有效
| 申請號: | 201720982537.1 | 申請日: | 2017-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN207008602U | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發明(設計)人: | 張濤;周洋;武恒基;呂景成 | 申請(專利權)人: | 鴻秦(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F13/16 | 分類號: | G06F13/16 |
| 代理公司: | 北京高文律師事務所11359 | 代理人: | 徐江華 |
| 地址: | 100085 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 nandflash 存儲器 通道 存儲 陣列 控制 裝置 | ||
1.一種基于NandFlash存儲器多通道的存儲陣列控制裝置,其特征在于:包括嵌入式微處理器,通過片內高速互聯總線將各個外設模塊與嵌入式微處理器連接,所述外設模塊包括SATA控制器、NandFlash控制器、DDR2SDRAM控制器、JTAG調試接口、AHB/APB bridge、密碼算法模塊、DMA控制器、片上RAM控制器、SPI flash控制器,AHB/APB bridge將片內高速互聯總線與片內低功耗互聯總線相連接,所述片內低功耗互聯總線上連接有中斷控制器、定時器、看門狗、串口、GPIO,從而構建一個完整的片上系統;具體包括如下模塊:
微處理器:龍芯LS232微處理器,MIPS指令系統,32位,32KB一級高速緩存,64位浮點處理單元;
AHB BUS:片內高速互聯總線;
AHB/APB bridge:片內高速互聯總線到低速互聯總線的轉換橋;
APB BUS:片內低功耗互聯總線;
JTAG調試接口:在線硬件調試支持模塊;
SATA控制器:主機系統和盤控芯片之間的接口;
NandFlash控制器:NandFlash存儲器和盤控芯片之間的接口;
DMA控制器:用于大數據量加解密操作時的數據流控制;
DDR2SDRAM控制器:提供盤控芯片與DDR2SDRAM存儲器之間的接口;
SPI flash控制器:外部SPI flash存儲器控制器;
On-chip RAM:片內RAM,容量為2Mbit,與片上RAM控制器相連接;
中斷控制器:支持電平和邊沿觸發模式;
定時器:32位高精度定時器;
看門狗:32位的看門狗定時器;
串口:兼容16550;
GPIO:通用IO端口。
2.根據權利要求1所述的基于NandFlash存儲器多通道的存儲陣列控制裝置,其特征在于:所述存儲陣列控制裝置位于主機SATA端到NandFlash存儲芯片端之間,將主機發送的SATA命令進行解析,轉換成NandFlash芯片的指令,將數據寫入或讀出NandFlash,完成固態盤和主機間的數據傳輸,在主機和存儲陣列控制裝置之間設置有讀寫緩存SDRAM。
3.根據權利要求1所述的基于NandFlash存儲器多通道的存儲陣列控制裝置,其特征在于:存儲陣列控制裝置采用控制引腳與數據引腳同時共用的架構,能夠同時控制多片NandFlash存儲器;設置有多條Flash通道,對通道內部,使用流水線方式,在一片Flash器件工作時,對其他Flash進行讀或寫操作,在時間上實現數據總線的復用;在通道間,使用并行傳輸技術,各通道之間相互獨立、互不影響,多個通道能夠并發工作,同時實現了速度和容量的提升。
4.根據權利要求3所述的基于NandFlash存儲器多通道的存儲陣列控制裝置,其特征在于:所述Flash器件工作時通過Flash時序控制器驅動,所述Flash時序控制器與存儲陣列控制裝置相連接。
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