[實(shí)用新型]一種基于電能儲能的芯片物理銷毀裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720981451.7 | 申請日： | 2017-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN207170492U | 公開（公告）日： | 2018-04-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周洋;楊建利;張濤;呂景成 | 申請（專利權(quán)）人： | 鴻秦（北京）科技有限公司 |
| 主分類號： | B09B3/00 | 分類號： | B09B3/00;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京高文律師事務(wù)所11359 | 代理人： | 徐江華 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 電能 芯片 物理 銷毀 裝置 | ||
1.一種基于電能儲能的芯片物理銷毀裝置，其特征在于：包括電荷泵、儲能電容、隔離開關(guān)、工作電壓，所述電荷泵的輸入端和工作電壓相連接，輸出端和儲能電容的正極板相連接，所述儲能電容的正極板與隔離開關(guān)相連接，負(fù)極板接地，所述隔離開關(guān)的另一端與被銷毀芯片相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電能儲能的芯片物理銷毀裝置，其特征在于：工作電壓為5V直流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于電能儲能的芯片物理銷毀裝置，其特征在于：在銷毀電壓要求大于36V時(shí)，電荷泵至少需要8倍的升壓過程，從而完成電壓升壓輸出。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電能儲能的芯片物理銷毀裝置，其特征在于：儲能電容的容量不小于47uF，耐壓值不小于55V。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電能儲能的芯片物理銷毀裝置，其特征在于：隔離開關(guān)能夠選用繼電器、MOS管、三級管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電能儲能的芯片物理銷毀裝置，其特征在于：儲能電容和被銷毀芯片的電源引腳導(dǎo)通。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電能儲能的芯片物理銷毀裝置，其特征在于：隔離開關(guān)閉合時(shí)，是在芯片正常工作時(shí)進(jìn)行。
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