[實用新型]一種整流橋器件有效
| 申請號: | 201720978573.0 | 申請日: | 2017-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN207038519U | 公開(公告)日: | 2018-02-23 |
| 發明(設計)人: | 王成森;潘建英;周榕榕 | 申請(專利權)人: | 捷捷半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/49 | 分類號: | H01L23/49;H01L25/07;H01L21/60;H02M7/00 |
| 代理公司: | 南京正聯知識產權代理有限公司32243 | 代理人: | 盧海洋 |
| 地址: | 226200 江蘇省南通市蘇通科技產*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 整流 器件 | ||
技術領域
本實用新型屬于半導體器件技術領域,特別涉及一種整流橋器件。
背景技術
目前常用的塑封整流橋器件,其制作方法是先將四個二極管芯片(兩個正裝,兩個倒裝)的其中一個極通過焊料燒結在兩個分別獨立的銅基板的一端,該兩個銅基板的另一端構成塑封整流橋的其中兩個引腳,再用兩個銅電極過橋通過焊料將一組二極管芯片(一個正裝,一個倒裝)的另一個極燒結連接,同時,兩銅電極過橋的連接點分別與塑封整流橋的另兩個引腳通過焊料燒結連接,然后通過塑封料進行塑封,只留出銅電極的四個引腳端,構成塑封整流橋。該制作方法的步驟復雜,成本高,體積大,線路板的利用率較低,且芯片的裝片次數多,倒裝的差錯風險高。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是提供一種整流橋器件,以簡化制作工藝,降低生產成本,并能有效提高線路板的利用率,降低裝片的差錯風險。
為解決上述技術問題,本實用新型采用的技術方案是:
一種整流橋器件,包括基板以及并排設置的共陰極整流半橋芯片和共陽極整流半橋芯片,基板的正面設有絕緣層,共陰極整流半橋芯片的背面通過導電膠粘接有銅基板I,銅基板I的右側延伸有引腳I,共陽極整流半橋芯片的背面通過導電膠粘接有銅基板II,銅基板II的右側延伸有引腳II,銅基板I和銅基板II的左側設有L形的銅引腳I和銅引腳II,銅引腳I和銅引腳II的兩端通過鍵合引線分別與共陰極整流半橋芯片和共陽極整流半橋芯片連接,銅基板I、引腳I、銅基板II、引腳II、銅引腳I和銅引腳II均設于絕緣層上。
上述共陰極整流半橋芯片包括N型基區I,N型基區I的正面設有P型發射區I,P型發射區I的正面設有P+型發射區I,P+型發射區I的正面設有二氧化硅膜I和對稱的兩個二極管芯片I的陽極金屬膜,二氧化硅膜I的外圍設有劃片道I,二極管芯片I的陽極金屬膜之間通過“日”字形溝槽I隔開,溝槽I延伸至N型基區I,溝槽I的表面設有鈍化玻璃膜I,N型基區I的背面設有N+型基區I,N+型基區I的背面設有二極管芯片I的共陰極金屬膜。
上述共陽極整流半橋芯片包括N型基區II,N型基區II的背面設有P型發射區II,P型發射區II的背面設有P+型發射區II,N型基區II的正面設有N+型基區II,N+型基區II的正面設有二氧化硅膜II和對稱的兩個二極管芯片II的陰極金屬膜,二氧化硅膜II的外圍設有劃片道II,二極管芯片II的陰極金屬膜之間通過“日”字形溝槽II隔開,溝槽II延伸至P型發射區II,溝槽II的表面設有鈍化玻璃膜II,P+型發射區II的背面設有二極管芯片II的共陽極金屬膜。
本實用新型的優點是:本實用新型通過正裝的一對共陰極整流半橋芯片和共陽極整流半橋芯片直接構成一個完整的整流橋電路,工藝簡單,制作成本低,封裝時芯片的裝片次數縮減50%,有效提高了線路板的利用率和封裝的效率,降低了裝片的差錯風險。
附圖說明
下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細描述。
圖1是本實用新型的結構示意圖;
圖2是圖1中A-A向的剖視結構示意圖;
圖3是本實用新型中共陰極整流半橋芯片B-B向的剖視結構示意圖;
圖4是本實用新型中共陽極整流半橋芯片C-C向的剖視結構示意圖。
其中,1、基板,2、銅引腳I ,21、銅引腳II,3、銅基板I,31、引腳I,4、銅基板II,41、引腳II,5、共陰極整流半橋芯片,51、N型基區I,52、N+型基區I,53、P型發射區I,54、P+型發射區I,55、二氧化硅膜I,56、鈍化玻璃膜I,57、二極管芯片I的陽極金屬膜,58、二極管芯片I的共陰極金屬膜,59、劃片道I,6、共陽極整流半橋芯片,61、N型基區II,62、P型發射區II,63、P+型發射區II,64、N+型基區II,65、二氧化硅膜II,66、鈍化玻璃膜II,67、二極管芯片II的陰極金屬膜,68、二極管芯片II的共陽極金屬膜,69、劃片道II,7、絕緣層,8、導電膠,9、鍵合引線。
具體實施方式:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于捷捷半導體有限公司,未經捷捷半導體有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720978573.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種片狀金屬制品沖壓模具
- 下一篇:一種金屬制品沖孔排廢料裝置





