[實(shí)用新型]使用頻段26.5GHz的低損耗半柔電纜

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720978282.1
• 申請(qǐng)日: 2017-08-07
• 公開（公告）號(hào): CN206947489U
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 齊波選;黃加林;陳天生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳微波通線纜有限公司
• 主分類號(hào): H01P3/06
• 分類號(hào): H01P3/06
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44248
• 代理人: 孫偉

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及通訊電纜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種使用頻段26.5GHz的低損耗半柔電纜。

背景技術(shù)

半柔同軸電纜以其優(yōu)異的耐高溫、高功率的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛的用于射頻及微波通訊系統(tǒng)及各種通訊設(shè)備中的內(nèi)部信號(hào)傳輸。一般半柔同軸電纜包括由內(nèi)向外依次同軸設(shè)置的內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層、外導(dǎo)體和護(hù)套。其中，內(nèi)導(dǎo)體一般采用鍍銀銅或者鍍銀銅包鋼制成；絕緣體一般通過聚四氟乙烯擠出后進(jìn)行完全高溫?zé)Y(jié)制成；外導(dǎo)體一般采用鍍錫銅絲編織并整體浸錫處理制成；護(hù)套一般采用氟塑料或者低煙無鹵材料制成。

在信息高速發(fā)展的今天，高頻率、低衰減、低電壓駐波比的信息傳輸需求對(duì)通信設(shè)備間的信息傳輸介質(zhì)通信電纜也提出了更高的要求，傳統(tǒng)半柔同軸電纜外導(dǎo)體傳輸信號(hào)的主要部分為金屬錫，而錫的導(dǎo)電率較差，故在高頻率情況下，其衰減、電壓駐波比急劇增大，完全無法滿足市場(chǎng)需求。

由此，有必要提出一種導(dǎo)電率好，避免電纜在高頻率情況下，其衰減、電壓駐波比急劇增大的解決方案。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型提出一種使用頻段26.5GHz的低損耗半柔電纜，旨在提高外導(dǎo)體的導(dǎo)電率，避免電纜在高頻率情況下，其衰減、電壓駐波比急劇增大。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，本實(shí)用新型提出一種使用頻段26.5GHz的低損耗半柔電纜，包括由內(nèi)至外依次同軸設(shè)置的內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層、包覆于所述絕緣層的外表面的銅箔、以及外導(dǎo)體。

本實(shí)用新型的進(jìn)一步的技術(shù)方案是，所述外導(dǎo)體包括由內(nèi)至外同軸設(shè)置的編織外導(dǎo)體和浸錫外導(dǎo)體，其中，所述編織外導(dǎo)體設(shè)置于所述銅箔的外表面，所述浸錫外導(dǎo)體設(shè)置于所述編織外導(dǎo)體的外表面。

本實(shí)用新型的進(jìn)一步的技術(shù)方案是，所述內(nèi)導(dǎo)體為單根或多根鍍銀銅線。

本實(shí)用新型的進(jìn)一步的技術(shù)方案是，所述絕緣層的制作材料為實(shí)心聚四氟乙烯。

本實(shí)用新型的進(jìn)一步的技術(shù)方案是，還包括護(hù)套，所述護(hù)套為管狀結(jié)構(gòu)，圍繞在所述浸錫外導(dǎo)體的外周。

本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型提出的使用頻段26.5GHz的低損耗半柔電纜，由于在所述絕緣層外周包覆有一層縱包銅箔，由此，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)提高了所述外導(dǎo)體的導(dǎo)電率，避免了該使用頻段26.5GHz的低損耗半柔電纜在高頻情況下衰減、電壓駐波比急劇增大。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型提出的使用頻段26.5GHz的低損耗半柔電纜的較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。

具體實(shí)施方式

應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

本實(shí)用新型的主要解決方案是：本實(shí)用新型提出的使用頻段26.5GHz的低損耗半柔電纜，包括由內(nèi)之外依次同軸設(shè)置的內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層、包覆于所述絕緣層的外表面的銅箔、以及外導(dǎo)體。由于銅箔具有優(yōu)良的導(dǎo)電率，由此避免電纜在高頻率情況下，其衰減、電壓駐波比急劇增大。

傳統(tǒng)半柔同軸電纜外導(dǎo)體傳輸信號(hào)的主要部分為金屬錫，而錫的導(dǎo)電率較差，故在高頻率情況下，其衰減、電壓駐波比急劇增大，完全無法滿足市場(chǎng)需求。

由此，本實(shí)用新型提出一種外導(dǎo)體導(dǎo)電率好、低電壓駐波比、低衰減、的使用頻段26.5GHz的低損耗半柔電纜。

具體地，請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1是本實(shí)用新型提出的使用頻段26.5GHz的低損耗半柔電纜的較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

本實(shí)施例提出的使用頻段26.5GHz的低損耗半柔電纜由內(nèi)至外依次包括同軸設(shè)置的內(nèi)導(dǎo)體10、絕緣層20、包覆于所述絕緣層20的外表面的銅箔30、以及外導(dǎo)體40。

值得提出的是，具體實(shí)施時(shí)，可以將銅箔30縱包在所述絕緣層20的外表面。由于銅箔30具有優(yōu)良的導(dǎo)電率，由此，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)提高了所述外導(dǎo)體40的導(dǎo)電率，避免了該使用頻段26.5GHz的低損耗半柔電纜在高頻情況下衰減、電壓駐波比急劇增大。

進(jìn)一步地，所述外導(dǎo)體40包括由內(nèi)至外同軸設(shè)置的編織外導(dǎo)體401和浸錫外導(dǎo)體402，其中，所述編織外導(dǎo)體401設(shè)置于所述銅箔30的外表面，所述浸錫外導(dǎo)體402設(shè)置于所述編織外導(dǎo)體401的外表面。