[實用新型]三維結(jié)構(gòu)太陽能硅片及太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720975679.5 | 申請日: | 2017-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN206947357U | 公開(公告)日: | 2018-01-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 萬明 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州賽萬玉山智能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068 |
| 代理公司: | 南京艾普利德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)32297 | 代理人: | 陸明耀 |
| 地址: | 215311 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三維 結(jié)構(gòu) 太陽能 硅片 太陽能電池 | ||
1.三維結(jié)構(gòu)太陽能硅片,包括硅片本體(1),其特征在于:所述硅片本體(1)包括一組等高且間隙分布的第一平臺段(11)以及一組等高且間隙分布的第二平臺段(12),所述第一平臺段(11)平行且高于所述第二平臺段(12),且第一平臺段(11)與第二平臺段(12)交錯設(shè)置,相鄰第一平臺段(11)和第二平臺段(12)通過斜面段(13)連成一體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維結(jié)構(gòu)太陽能硅片,其特征在于:所述第一平臺段(11)和第二平臺段(12)的厚度為0.07-0.5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維結(jié)構(gòu)太陽能硅片,其特征在于:所述第一平臺段(11)的寬度和第二平臺段(12)的寬度相同或不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的三維結(jié)構(gòu)太陽能硅片,其特征在于:所述第一平臺段(11)及第二平臺段(11)分別與同一斜面段(13)形成的夾角相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維結(jié)構(gòu)太陽能硅片,其特征在于:所述第一平臺段(11)及第二平臺段(11)分別與同一斜面段(13)形成的夾角大于90°。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三維結(jié)構(gòu)太陽能硅片,其特征在于:在所述第一平臺段(11)和/或第二平臺段(12)上形成有指狀電極(2)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的三維結(jié)構(gòu)太陽能硅片,其特征在于:所述太陽能硅片為單晶硅硅片或多晶硅硅片或III-V族化合物單晶晶片或III-V族化合物多晶晶片。
8.太陽能電池,其特征在于:包括權(quán)利要求1-7任一所述的三維結(jié)構(gòu)太陽能硅片。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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