[實用新型]一種基于多孔硅絕熱層的微加熱板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720968116.3 | 申請日： | 2017-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN207117979U | 公開（公告）日： | 2018-03-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李衛(wèi);馮志麟;戴恩文;劉菊燕;丁超 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京郵電大學(xué) |
| 主分類號： | H05B3/03 | 分類號： | H05B3/03;H05B3/10;H05B3/16;H05B3/26 |
| 代理公司： | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司32200 | 代理人： | 樓高潮 |
| 地址： | 210003 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 多孔 絕熱 加熱 | ||
1.一種基于多孔硅絕熱層的微加熱板，其特征在于，所述微加熱板從上到下依次包括電極組 （1）、多孔硅層（2）、二氧化硅層（3）和硅基座（4），所述電極組（1）包括加熱電極（5）和信號電極（6），所述加熱電極（5）的形狀為蛇形，所述信號電極（6）為叉指電極，所述信號電極（6）指狀凸起設(shè)于加熱電極（5）蛇形凹陷處，且加熱電極（5）和信號電極（6）互不接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多孔硅絕熱層的微加熱板，其特征在于，所述多孔硅層（2）的孔隙率為78~82%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多孔硅絕熱層的微加熱板，其特征在于，所述二氧化硅層（3）和硅基座（4）的加工方法為背面硅腐蝕。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多孔硅絕熱層的微加熱板，其特征在于，所述硅基座（4）為單晶硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多孔硅絕熱層的微加熱板，其特征在于，所述加熱電極（5）為Pt電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多孔硅絕熱層的微加熱板，其特征在于，所述電極組（1）的厚度為35~45μm，所述多孔硅層（2）的厚度為100~110μm，所述二氧化硅層（3）的厚度為35~45μm，所述硅基座（4）的厚度為1.8~2.2 mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多孔硅絕熱層的微加熱板，其特征在于，所述電極組（1）的厚度為40μm，所述多孔硅層（2）的厚度為110μm，所述二氧化硅層（3）的厚度為40μm，所述硅基座（4）的厚度為2 mm。
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