[實用新型]一種刻蝕機去水氣裝置的升降機構有效
| 申請號: | 201720968082.8 | 申請日: | 2017-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN207353206U | 公開(公告)日: | 2018-05-11 |
| 發明(設計)人: | 嚴攀 | 申請(專利權)人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人: | 楊立;李蕾 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 刻蝕 水氣 裝置 升降 機構 | ||
1.一種刻蝕機去水氣裝置的升降機構,其特征在于,包括去水氣裝置本體(1)、雙作用氣缸(4)和晶元壓頭(5);
所述去水氣裝置本體(1)內部具有豎直設置并可上下移動的滑桿(11);
所述雙作用氣缸(4)豎向設置,其缸體(41)通過連接件(3)安裝在所述水氣裝置本體(1)的下端,所述雙作用氣缸(4)內具有與所述滑桿(11)同軸設置的伸縮臂(42);
所述伸縮臂(42)的上端通過高度可調的連接組件(2)與所述滑桿(11)的下端連接;
所述晶元壓頭(5)安裝在所述伸縮臂(42)的下端端部,所述晶元壓頭(5)隨所述伸縮臂(42)上下移動。
2.根據權利要求1所述的刻蝕機去水氣裝置的升降機構,其特征在于,所述連接件(3)包括多根間隔均勻且環狀分布于所述水氣裝置本體(1)的下端的拉桿,每根所述拉桿下端均與所述缸體(41)的上端連接。
3.根據權利要求1所述的刻蝕機去水氣裝置的升降機構,其特征在于,所述連接組件包括連接頭(21)和浮動接頭(22),所述連接頭(21)上端與所述滑桿(11)的下端連接,所述連接頭(21)的下端與所述浮動接頭(22)的上端連接。
4.根據權利要求3所述的刻蝕機去水氣裝置的升降機構,其特征在于,所述浮動接頭(22)上端端部沿軸向設有螺孔,所述連接頭(21)為圓柱體形,其下端外周上設有與浮動接頭(22)上端螺孔相配合的外螺紋,所述連接頭(21)的下端螺紋安裝在所述浮動接頭(22)上端的螺孔內,所述連接頭(21)與所述浮動接頭(22)連接處之間還套設有用以調節所述連接頭(21)下端與浮動接頭(22)上端螺孔連接深度的第一墊圈(23)。
5.根據權利要求4所述的刻蝕機去水氣裝置的升降機構,其特征在于, 還包括限位抵接組件,所述限位抵接組件設置于所述缸體下端,
所述晶元壓頭(5)側壁中部環設有與所述限位抵接組件(6)相配合的環形的限位塊(51);
所述限位抵接組件(6)包括自上向下依次固定在所述缸體(41)下端端部的抵接塊(61)和第二墊圈(62),所述抵接塊(61)中部設有供所述伸縮臂(42)的下端穿過的通孔;
所述伸縮臂(42)向上移動時,帶動所述晶元壓頭(5)上升至所述限位塊(51)與所述抵接塊(61)抵接。
6.根據權利要求4所述的刻蝕機去水氣裝置的升降機構,其特征在于,還包括限位抵接組件,所述限位抵接組件(6)包括旋鈕(63)和螺帽(64)組成,所述旋鈕(63)為上端開口的中空圓柱體,其底端同軸設有與所述晶元壓頭(5)相配合的通孔,所述晶元壓頭(5)為圓柱形,其外周上設置有外螺紋,所述通孔內壁設有與所述晶元壓頭(5)外螺紋相配合的內螺紋,所述旋鈕(63)螺紋安裝在所述晶元壓頭(5)外周上,所述螺帽(64)螺紋安裝在所述晶元壓頭(5)的下端外周上,并與所述旋鈕(63)的下端抵接。
7.根據權利要求5或6中任一項所述的刻蝕機去水氣裝置的升降機構,其特征在于,所述浮動接頭(22)的側壁的中部環設有凸塊,所述浮動接頭(22)隨伸縮臂(42)向下運動過程中所述凸塊的下端面與缸體(41)上端抵接。
8.根據權利要求7所述的刻蝕機去水氣裝置的升降機構,其特征在于,所述伸縮臂(42)的伸縮長度為8-12mm。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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