[實用新型]一種發光二極管有效
| 申請號: | 201720966046.8 | 申請日: | 2017-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN207183309U | 公開(公告)日: | 2018-04-03 |
| 發明(設計)人: | 曹玉飛;柯大發;梁友燦;邱智中;張家宏 | 申請(專利權)人: | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/38 | 分類號: | H01L33/38;H01L33/14 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 241000 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發光二極管 | ||
1.一種發光二極管,至少包括一襯底,以及依次位于所述襯底上的發光外延層, 其特征在于:
所述發光外延層上依次設置有電流阻擋層、第一電極和電流擴展層,其中,
所述電流阻擋層包括第一主體部分和連接于第一主體部分的呈條狀的第一延伸部分;
所述第一電極包括位于所述第一主體部分表面的第二主體部分和連接于所述第二主體部分的位于第一延伸部表面的第二延伸部分;
所述電流擴展層上具有一與所述第二主體部分對應的窗口,露出所述第二主體部分,所述第二主體部分的頂面低于所述電流擴展層的頂面,所述電流擴展層完全覆蓋或部分覆蓋所述第二延伸部分。
2.根據權利要求1所述的一種發光二極管,其特征在于:所述電流擴展層覆蓋所述第二主體部分的外周,露出所述第二主體部分的中間部分。
3.根據權利要求1所述的一種發光二極管,其特征在于:所述電流阻擋層為二氧化硅層、碳化硅層或氮化硅層。
4.根據權利要求1所述的一種發光二極管,其特征在于:所述電流阻擋層為Hf金屬層或Ta金屬層。
5.根據權利要求1所述的一種發光二極管,其特征在于:所述電流阻擋層為HfO層或TaO層。
6.根據權利要求1所述的一種發光二極管,其特征在于:所述第一電極由下至上依次包括歐姆接觸層、高反射金屬層、防金屬遷移層和導電層。
7.根據權利要求1所述的一種發光二極管,其特征在于:所述電流擴展層表面還具有鈍化層,所述鈍化層具有與所述窗口位置對應的開口,露出所述第二主體部分,以便打線。
8.根據權利要求1所述的一種發光二極管,其特征在于:所述電流阻擋層與第一電極的形狀一致。
9.根據權利要求1所述的一種發光二極管,其特征在于:所述發光外延層具有一臺階,所述臺階上具有第二電極,所述第一電極和第二電極注入電流后,電流由所述第二主體部分沿第二延伸部分進入電流擴展層,經擴展后的電流注入發光外延層,使所述發光外延層發射光線。
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