[實用新型]一種集成電感的LED芯片、電路及裝置有效
| 申請號： | 201720955724.0 | 申請日： | 2017-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN206947371U | 公開（公告）日： | 2018-01-30 |
| 發明（設計）人： | 李華山;黃宏達;黃朱彬;謝洋 | 申請（專利權）人： | 福建省福聯集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L27/15;H01L23/64 |
| 代理公司： | 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙)35219 | 代理人： | 徐劍兵,林祥翔 |
| 地址： | 351117 福建*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 集成 電感 led 芯片 電路 裝置 | ||
1.一種集成電感的LED芯片，其特征在于，包括電感、LED結構及襯底；
所述LED結構包括n層、發光層及p層，所述發光層設置在n層和p層之間，所述n層生長在襯底上；
所述電感設置在襯底上，所述電感的一端連接與LED結構的正極。
2.根據權利要求1所述集成電感的LED芯片，其特征在于，所述電感為貼片電感。
3.根據權利要求1所述集成電感的LED芯片，其特征在于，所述電感和LED結構生長在襯底的同一側。
4.根據權利要求1所述集成電感的LED芯片，其特征在于，所述電感生長在襯底的一側，所述LED結構生長在襯底的另一側。
5.根據權利要求1所述集成電感的LED芯片，其特征在于，所述襯底為GaN襯底。
6.根據權利要求5所述集成電感的LED芯片，其特征在于，所述LED結構為GaN LED結構；所述n層為n-GaN層，所述發光層為MQW發光層，所述p層為P-GaN層。
7.根據權利要求1所述集成電感的LED芯片，其特征在于，所述襯底為GaAs襯底。
8.根據權利要求7所述集成電感的LED芯片，其特征在于，所述LED結構為四元LED結構，所述n層為n-GaAsP漸變層，所述發光層為n-AlGaInP發光層，所述p層為P-GaP層。
9.一種電路，其特征在于，所述電路包括權利要求1至8任一所述LED芯片。
10.一種裝置，其特征在于，所述裝置包括權利要求9所述電路。
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