[實(shí)用新型]無線數(shù)據(jù)采集裝置的采集電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720953032.2
• 申請(qǐng)日: 2017-08-01
• 公開（公告）號(hào): CN207067738U
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳愛國;戴璐璐;孫詠;王懷遠(yuǎn);王亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 戴璐璐;陳愛國;孫詠;北京匯泰沃德科技有限公司
• 主分類號(hào): G05B19/042
• 分類號(hào): G05B19/042
• 代理公司: 北京酷愛智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11514
• 代理人: 孟凡臣

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域，具體涉及無線數(shù)據(jù)采集裝置的采集電路。

背景技術(shù)

LTE(Long Term Evolution，長(zhǎng)期演進(jìn))是由3GPP(The 3rd Generation Partnership Project，第三代合作伙伴計(jì)劃)組織制定的UMTS(Universal Mobile Telecommunications System，通用移動(dòng)通信系統(tǒng))技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的長(zhǎng)期演進(jìn)，于2004年12月在3GPP多倫多會(huì)議上正式立項(xiàng)并啟動(dòng)。LTE系統(tǒng)引入了OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing，正交頻分復(fù)用)和MIMO(Multi-Input&Multi-Output，多輸入多輸出)等關(guān)鍵技術(shù)，顯著增加了頻譜效率和數(shù)據(jù)傳輸速率，并支持多種帶寬分配，且支持全球主流2G/3G頻段和一些新增頻段，因而頻譜分配更加靈活，系統(tǒng)容量和覆蓋也顯著提升。

LTE系統(tǒng)分為兩個(gè)網(wǎng)元，EPC(Evolved Packet Core，演進(jìn)分組核心網(wǎng))和eNode B(Evolved Node B，演進(jìn)Node B)。EPC負(fù)責(zé)核心網(wǎng)部分，信令處理部分為MME(Mobility Management Entity，移動(dòng)管理實(shí)體)，數(shù)據(jù)處理部分為S-GW(Serving Gateway，服務(wù)網(wǎng)管)。eNode B負(fù)責(zé)接入網(wǎng)部分，也稱E-UTRAN(Evolved UTRAN，演進(jìn)的UTRAN)。

IMSI國際移動(dòng)用戶識(shí)別碼，用于區(qū)別移動(dòng)用戶的標(biāo)志。IMEI移動(dòng)設(shè)備國際識(shí)別嗎，用于區(qū)別移動(dòng)設(shè)備的標(biāo)志。TMSI臨時(shí)移動(dòng)用戶識(shí)別碼，用于臨時(shí)區(qū)別移動(dòng)用戶的標(biāo)志。這些識(shí)別碼存于SIM卡中。終端利用LTE聯(lián)網(wǎng)時(shí)，選取信號(hào)最好的小區(qū)駐留，在小區(qū)選擇和重選的過程中，需要無線數(shù)據(jù)采集裝置采集終端的IMSI、IMEI和TMSI。但是現(xiàn)有的無線數(shù)據(jù)采集裝置將所有的模塊集成在一起，其放大器模塊不能根據(jù)實(shí)際環(huán)境進(jìn)行選擇，功耗較大。為此，申請(qǐng)人提供了一種功耗小、體積小的無線數(shù)據(jù)采集裝置，但是在實(shí)現(xiàn)上述無線數(shù)據(jù)采集裝置時(shí)，還需要考慮如何設(shè)計(jì)一種采集電路，具有高集成度，采集性能好。

實(shí)用新型內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本實(shí)用新型提供無線數(shù)據(jù)采集裝置的采集電路，具有高集成度，采集性能好。

一種無線數(shù)據(jù)采集裝置的采集電路，包括處理器、射頻電路、TDD模塊、FDD模塊和電源電路；所述處理器的通訊口與所述射頻電路的通訊口電連接，所述射頻電路的TDD通訊口與所述TDD模塊電連接，所述射頻電路的FDD通訊口與所述FDD模塊電連接；所述電源電路用于給所述無線數(shù)據(jù)采集裝置的采集電路供電。

優(yōu)選地，所述處理器通過級(jí)聯(lián)電路與所述射頻電路的使能端電連接；

所述級(jí)聯(lián)電路包括第一或門、第二或門和第三或門；所述處理器的第一控制端和第二控制端分別連接至第一或門的兩輸入端，第一或門的輸出端和所述處理器的第三控制端分別連接至第二或門的兩輸入端，第二或門的輸出端和所述處理器的第四控制端分別連接至第三或門的兩輸入端，第三或門的輸出端連接至所述射頻電路的使能端。

優(yōu)選地，所述電源電路包括主電源電路和射頻供電電路；主電源電路的輸入端接高電壓；

所述射頻供電電路包括一路數(shù)字供電支路和多路并聯(lián)的模擬供電支路，其中數(shù)字供電支路的輸入端和并聯(lián)的模擬供電支路的輸入端均連接至主電源電路的輸出端。

優(yōu)選地，所述模擬供電支路為7路。

優(yōu)選地，所述模擬供電支路包括由磁珠和兩電容構(gòu)成的第一π型低通濾波電路；第一π型低通濾波電路的輸入端接所述主電源電路的輸出端，第一π型低通濾波電路的輸出端接所述射頻電路的模擬電路，為射頻電路的模擬電路供電。

優(yōu)選地，所述數(shù)字供電支路包括由0歐姆的電阻和兩電容構(gòu)成的第二π型低通濾波電路；第二π型低通濾波電路的輸入端接所述主電源電路的輸出端，第二π型低通濾波電路的輸出端接所述射頻電路的數(shù)字電路，為射頻電路的數(shù)字電路供電。

優(yōu)選地，所述處理器采用英特爾的T2130芯片。

優(yōu)選地，所述射頻電路的主芯片型號(hào)為AD9363。

優(yōu)選地，所述TDD模塊和FDD模塊集成在同一塊板卡上。