[實用新型]一種反激式開關電源中MOS管的RC吸收電路

有效

• 申請號: 201720944978.2
• 申請日: 2017-07-31
• 公開（公告）號: CN207283397U
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 俞志根
• 申請（專利權）人: 寧波三星醫療電氣股份有限公司
• 主分類號: H02M1/44
• 分類號: H02M1/44
• 代理公司: 寧波誠源專利事務所有限公司33102
• 代理人: 袁忠衛

技術領域

本實用新型涉及一種RC吸收電路，特別是涉及一種反激式開關電源中MOS管的RC吸收電路。

背景技術

開關電源正常工作時，開關芯片內置MOS管處在高頻反復導通和關斷工作狀態。有多種可以解決反激式開關電源的EMI問題的方式，其中開關芯片內置MOS管DS兩端并聯RC吸收電路是一種普遍做法。

MOS管導通瞬間，由于MOS管DS兩端存在寄生等效電容Coss，Vds(母線電壓+反射電壓+漏感尖峰電壓)不能突變，只有當DS兩端等效電容通過MOS內部回路完成放電，DS兩端完成關斷到導通狀態的過渡，如圖1所示，此時DS兩端的Vds電壓為Ids*Rdson。

Coss的放電電流為：

通過公式①得知，相同放電電流條件下Coss越大，越小。

通過公式②得知，噪聲電流I_noise與大小直接相關，相同寄生電容條件下,越小，I_noise越小，EMI同樣也就越好。也就是說Coss越大，EMI效果越好。

MOS管關斷瞬間，同樣由于MOS管DS兩端存在寄生等效電容Coss，DS兩端電壓不能突變，只有當DS兩端等效電容通過變壓器原邊繞組電流完成充電，DS兩端完成導通到關斷狀態的過渡，如圖2所示，此時DS電壓為Vds(母線電壓+反射電壓+漏感尖峰電壓總和)。同上理論，也就是說Coss越大，EMI效果越好。

由于電流反饋型開關電源原理決定需要采樣變壓器原邊電流，目前采樣原邊電流有兩種方式：一、通過MOS管源極串聯電阻采樣，二、通過MOS管Rdson電阻采樣。在MOS的漏極和源極之間增加RC吸收電路是目前普遍做法，如圖3所示。通過MOS管源極串聯電阻完成原邊電流采樣，R1和R2電阻為電流采樣電阻，R3和C1構成RC吸收回路。

目前電流采樣管腳Source開關芯片大都為低耐壓腳位，低于30V。由于C1大都為高壓瓷片電容HVMLCC，該類型電容失效模式為短路狀態。當PCB或其他機械應力導致該電容失效時，整流之后的高壓直接通過電阻R3灌入開關芯片的Source腳，導致開關芯片的電流采樣功能喪失。由于開關芯片電流采樣功能異常，無法正常關斷內置MOS信號，導致原邊峰值電流持續上升，占空比不斷加大；大電流導致變壓器飽和，感量降低，此時變壓器等效為導線，導致整流之后的電壓直接加載在內置MOS上。此時開關芯片內置MOS上承受著高壓，且同時加載有大的飽和電流，最終導致內置MOS燒毀，整個開關電源徹底失效。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種反激式開關電源中MOS管的RC吸收電路，該電路可以避免因RC吸收電路中的電容失效導致整個開關電源失效，同時也不影響開關電源的EMI效果。

本實用新型解決上述技術問題所采用的技術方案為：一種反激式開關電源中MOS管的RC吸收電路，包括開關芯片，第一電阻，第二電阻，第三電阻，電容，其中所述的第三電阻和電容串聯組成RC吸收電路，所述的開關芯片內置有MOS管，其特征在于：RC吸收電路連接在MOS管的漏極和地之間。

所述RC吸收電路中的第三電阻一端與MOS管的漏極連接，另一端與電容連接，電容的另一端與地連接。

所述第一電阻和第二電阻的一端均與MOS管的源極連接，另一端均與地相連接。

所述MOS管為NMOS管或PMOS管。

與現有技術相比，本實用新型的優點在于：增加RC吸收電路的目的在于加大Coss，因此將RC吸收回路位置進行變更，從漏極和源極之間更改至漏極和地之間，在EMI吸收效果上沒有太大的差異；同時當RC吸收電路中電容失效時，最大程度也是將RC吸收回路上的電容和電阻燒毀，開關芯片不受任何影響，能夠正常工作，電源功能不受任何降級損失。

附圖說明

圖1為背景技術中MOS管關斷到導通狀態切換圖；

圖2為背景技術中MOS管導通到關斷狀態切換圖；

圖3為背景技術中常用的RC吸收電路圖；

圖4為本實用新型實施例中的RC吸收電路圖。

具體實施方式

以下結合附圖實施例對本實用新型作進一步詳細描述。