[實用新型]一種應變補償型半導體激光器結構有效
| 申請號： | 201720944655.3 | 申請日： | 2017-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN207069288U | 公開（公告）日： | 2018-03-02 |
| 發明（設計）人： | 韋欣;徐建人 | 申請（專利權）人： | 嘉興海創激光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 嘉興啟帆專利代理事務所(普通合伙)33253 | 代理人： | 李伊飏 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉興市南湖區*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 應變 補償 半導體激光器 結構 | ||
1.一種應變補償型半導體激光器結構，包括襯底層（1）以及在所述襯底層（1）由下至上依次生長的緩沖層（2）、下限制層（3）、下波導層（4）、有源層（5）、上波導層（6）、上限制層（7）和歐姆接觸層（8），其特征在于：所述有源層（5）為應變補償量子阱材料。
2.根據權利要求1所述的應變補償型半導體激光器結構，其特征在于：所述應變補償量子阱材料包括壓應變阱材料（52）和張應變壘材料（51），所述壓應變阱材料和張應變壘材料交替排列構成所述有源層（5）。
3.根據權利要求2所述的應變補償型半導體激光器結構，其特征在于：所述壓應變阱材料為InGaAs材料，張應變壘材料為GaAsP材料或AlGaAsP材料。
4.根據權利要求3所述的應變補償型半導體激光器結構，其特征在于：所述InGaAs材料的厚度為3~12nm，所述GaAsP材料或AlGaAsP材料的厚度為5~15nm。
5.根據權利要求1~4任意一項所述的應變補償型半導體激光器結構，其特征在于：所述的襯底層（1）為GaAs材料。
6.根據權利要求1~4任意一項所述的應變補償型半導體激光器結構，其特征在于：所述上限制層（7）與所述下限制層（3）為AlGaAs材料。
7.根據權利要求1~4任意一項所述的應變補償型半導體激光器結構，其特征在于：所述上波導層（6）與所述下波導層（4）為AlGaAs材料。
8.根據權利要求1~4任意一項所述的應變補償型半導體激光器結構，其特征在于：所述緩沖層（2）為GaAs材料，所述緩沖層（2）厚度為0.02~2μm。
9.根據權利要求6所述的應變補償型半導體激光器結構，其特征在于：所述下限制層（3）的厚度為0.5~2.5μm。
10.根據權利要求7所述的應變補償型半導體激光器結構，其特征在于：所述上波導層（6）的厚度為0.1~0.8μm，所述下波導層（4）的厚度為0.1~0.8μm。
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