[實用新型]一種閃爍晶體陣列

有效

• 申請號: 201720939166.9
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN207123619U
• 公開（公告）日: 2018-03-20
• 發明（設計）人: 魏建德;鄭熠;吳少凡;蘇偉平;葉寧
• 申請（專利權）人: 廈門中爍光電科技有限公司
• 主分類號: G01T1/202
• 分類號: G01T1/202
• 代理公司: 北京慧智興達知識產權代理有限公司11615
• 代理人: 韓龍,郭群

1.一種閃爍晶體陣列，其特征在于，包括：透明基板、與所述透明基板密封安裝的陣列外殼以及置于由所述透明基板與陣列外殼所形成的密封空間中的至少一個閃爍晶體條；

所述透明基板的一面設置有用于放置各個閃爍晶體條端面的凹槽，每一閃爍晶體條通過折射率處于透明基板和閃爍晶體條之間的膠體粘結于所述透明基板上的對應凹槽中，每一閃爍晶體條的置于所述對應凹槽中的端面鍍有增透鍍膜層，且每一閃爍晶體條的外側面均鍍有高反射鍍膜層，在各個閃爍晶體條之間的空隙處填充有隔光混合物，以形成閃爍晶體塊，在所述閃爍晶體塊的側面均勻涂布有所述隔光混合物。

2.根據權利要求1所述的閃爍晶體陣列，其特征在于，所述陣列外殼為一端開口的矩形鋁盒，所述矩形鋁盒開口尺寸與透明基板尺寸一致。

3.根據權利要求1所述的閃爍晶體陣列，其特征在于，所述凹槽為矩形凹槽，所述矩形凹槽之間等間隔布置。

4.根據權利要求1所述的閃爍晶體陣列，其特征在于，所述閃爍晶體條為尺寸相同的正方體，長方體或者圓柱體的閃爍晶體條。

5.根據權利要求1所述的閃爍晶體陣列，其特征在于，所述高反射鍍膜層的厚度為1.5-2.5微米。

6.根據權利要求1所述的閃爍晶體陣列，其特征在于，所述的高反射鍍膜層為全反射鍍膜，高反射鍍膜層的反射率大于99.9％。