[實用新型]管式擴散爐有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720936796.0 | 申請日: | 2017-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN207353273U | 公開(公告)日: | 2018-05-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黃紀德;侯玥玥;金井升;張昕宇;金浩 | 申請(專利權)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人: | 胡素莉;李海建 |
| 地址: | 314416 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 擴散 | ||
1.一種管式擴散爐,其特征在于,包括:擴散爐管和加熱模塊,其中,所述加熱模塊加熱所述擴散爐管以使所述擴散爐管內(nèi)的溫度沿工藝氣體充入所述擴散爐管的方向增高;
所述加熱模塊至少為兩個,且所述加熱模塊沿所述擴散爐管的充氣方向分布,相鄰兩個所述加熱模塊的加熱溫度沿所述擴散爐管的充氣方向增高。
2.根據(jù)權利要求1所述的管式擴散爐,其特征在于,所述加熱模塊為加熱絲,且所述加熱絲纏繞于所述擴散爐管上。
3.根據(jù)權利要求1所述的管式擴散爐,其特征在于,所述擴散爐管內(nèi)的最高溫度和最低溫度的差值為1℃-20℃,所述擴散爐管內(nèi)的溫度不小于780℃且不大于800℃。
4.根據(jù)權利要求1所述的管式擴散爐,其特征在于,所述加熱模塊套設于所述擴散爐管的外側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





