[實(shí)用新型]基于單模?多模?無芯光纖結(jié)構(gòu)的磁場強(qiáng)度檢測傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720931136.3 | 申請日: | 2017-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN206906563U | 公開(公告)日: | 2018-01-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 牛龍飛;周國瑞;呂海兵;苗心向;劉昊;蔣一嵐;袁曉東;周海;馬志強(qiáng);鄒睿;劉青安 | 申請(專利權(quán))人: | 中國工程物理研究院激光聚變研究中心 |
| 主分類號: | G01R33/032 | 分類號: | G01R33/032 |
| 代理公司: | 北京遠(yuǎn)大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11369 | 代理人: | 鄭健 |
| 地址: | 621900 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 單模 多模 光纖 結(jié)構(gòu) 磁場強(qiáng)度 檢測 傳感器 | ||
1.一種基于單模-多模-無芯光纖結(jié)構(gòu)的磁場強(qiáng)度檢測傳感器,其特征在于,包括:
單模光纖,其用于光信號的輸入和輸出;
多模光纖,其輸入端與所述單模光纖的輸出端無偏心熔接;
無芯光纖,其一端與所述多模光纖的輸出端偏心熔接;所述無芯光纖的表面附著超磁致伸縮材料層;
其中,所述無芯光纖與多模光纖偏心熔接后的不重疊位置處附著第一金屬膜層以反射多模光纖中的光信號;所述無芯光纖的另一端附著第二金屬膜層以反射無芯光纖中的光信號。
2.如權(quán)利要求1所述的基于單模-多模-無芯光纖結(jié)構(gòu)的磁場強(qiáng)度檢測傳感器,其特征在于,所述單模光纖的直徑均為125μm、芯徑均為8~10μm。
3.如權(quán)利要求1所述的基于單模-多模-無芯光纖結(jié)構(gòu)的磁場強(qiáng)度檢測傳感器,其特征在于,所述多模光纖的長度為3~10mm、直徑為125μm、芯徑為50~125μm。
4.如權(quán)利要求1所述的基于單模-多模-無芯光纖結(jié)構(gòu)的磁場強(qiáng)度檢測傳感器,其特征在于,所述無芯光纖的長度為3~10mm、直徑為20~100μm。
5.如權(quán)利要求1所述的基于單模-多模-無芯光纖結(jié)構(gòu)的磁場強(qiáng)度檢測傳感器,其特征在于,所述超磁致伸縮材料層為鋱鏑鐵超磁致伸縮材料層。
6.如權(quán)利要求1所述的基于單模-多模-無芯光纖結(jié)構(gòu)的磁場強(qiáng)度檢測傳感器,其特征在于,所述超磁致伸縮材料層的厚度為1~10μm。
7.如權(quán)利要求1所述的基于單模-多模-無芯光纖結(jié)構(gòu)的磁場強(qiáng)度檢測傳感器,其特征在于,所述超磁致伸縮材料層采用粘貼法或真空磁控濺射方法附著在無芯光纖的表面。
8.如權(quán)利要求1所述的基于單模-多模-無芯光纖結(jié)構(gòu)的磁場強(qiáng)度檢測傳感器,其特征在于,所述單模光纖與多模光纖采用光纖熔接技術(shù)進(jìn)行無偏心熔接;所述無芯光纖與多模光纖采用光纖熔接技術(shù)進(jìn)行偏心熔接。
9.如權(quán)利要求1所述的基于單模-多模-無芯光纖結(jié)構(gòu)的磁場強(qiáng)度檢測傳感器,其特征在于,所述第一金屬膜層采用真空濺射方法附著在多模光纖與無芯光纖不重疊的端面上;所述第一金屬膜層采用真空濺射方法附著在無芯光纖的另一個端面上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國工程物理研究院激光聚變研究中心,未經(jīng)中國工程物理研究院激光聚變研究中心許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720931136.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





