[實用新型]一種核探測器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720930680.6
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN207020321U
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發(fā)明（設計）人: 牛明;劉彤;華越軒;孫意成;謝慶國
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州瑞派寧科技有限公司
• 主分類號: G01T1/202
• 分類號: G01T1/202
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種核探測器，所述核探測器包括閃爍晶體陣列、光導和光電探測器陣列，所述閃爍晶體陣列包括若干個依序緊密排列且尺寸相同的閃爍晶體條，所述光電探測器陣列包括若干個依序排列的光電探測器，所述光電探測器的橫截面積大于所述閃爍晶體條的橫截面積，所述光導包括相對的頂面、底面和側(cè)面，所述光導的頂面與所述閃爍晶體陣列耦合，所述光導的底面與所述光電探測器陣列耦合，其特征在于，

所述光導的厚度介于0.1mm-40mm之間；

所述光導還具有切縫，所述切縫設置于靠近所述光導的邊緣處，所述切縫自所述光導的頂面向所述光導的底面延伸，所述切縫的深度介于所述光導的厚度的0.1-0.5倍之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核探測器，其特征在于，所述光導呈長方體形狀，所述切縫的延伸方向垂直于所述光導的所述頂面和所述底面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的核探測器，其特征在于，所述切縫距離所述光導的所述側(cè)面的距離介于所述閃爍晶體條的寬度的1.1-1.9倍之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核探測器，其特征在于，所述光導呈錐形臺形狀，所述光導的頂面面積大于所述光導的底面面積，所述切縫的延伸方向平行于所述錐形臺的側(cè)面。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的核探測器，其特征在于，所述切縫包括第一切縫和第二切縫，所述第一切縫距離所述光導的所述側(cè)面的距離等于所述閃爍晶體條的寬度，所述第二切縫距離所述光導的所述側(cè)面的距離等于所述閃爍晶體條的寬度的兩倍，所述第一切縫的深度大于所述第二切縫的深度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核探測器，其特征在于，所述切縫的數(shù)量介于1-40之間，所述切縫自所述光導的側(cè)面向所述光導的中心依次分布，所述切縫的深度自所述光導的側(cè)面處向所述光導的中心依次遞減。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核探測器，其特征在于，所述閃爍晶體條的寬度介于0.5mm-4mm之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核探測器，其特征在于，所述閃爍晶體條的側(cè)面涂覆有不透光物質(zhì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的核探測器，其特征在于，所述不透光物質(zhì)為硫酸鋇粉末或者鏡面反射膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核探測器，其特征在于，所述切縫中以及所述光導的側(cè)面涂覆有不透光物質(zhì)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的核探測器，其特征在于，所述不透光物質(zhì)為黑色油漆。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核探測器，其特征在于，所述光導的層數(shù)介于1-4層之間，各層所述光導的累計厚度介于0.1mm-40mm之間。