[實用新型]一種雙向超低容ESD防護芯片結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720929918.3
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN207199623U
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發(fā)明（設計）人: 王興樂;王順安;周麗芳;陳尚;楊娟;吳冉;甄文芳
• 申請（專利權）人: 深圳市碩凱電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/04;H01L21/822
• 代理公司: 東莞市冠誠知識產權代理有限公司44272
• 代理人: 莫杰華

1.一種雙向超低容ESD防護芯片結構，其結構包括：一個雪崩二極管D1以及4個整流二極管D2、D3、D4、D5；

所述雪崩二極管D1的結構包括：襯底里面包含N-well，N-well里面包含SN層，SN層里面包含SP層，單晶硅上面是SiO₂層，SiO₂層部分打開，SiO₂層上面是正面金屬，正面金屬部分打開，正面金屬上面是鈍化層；其中，雪崩二極管D1的SP層與整流二極管D3和D5的SP層相連，雪崩二極管D1的SN層與整流二極管D2和D4的SN層相連；

所述整流二極管D2、D3、D4、D5的結構包括：襯底里面包含N-well，N-well里面包含SN層和SP層，SN層和SP層成梳狀結構，單晶硅上面是SiO₂層，SiO₂層部分打開，SiO₂層上面是正面金屬，正面金屬部分打開，正面金屬上面是鈍化層；其中，整流二極管D3和D5的SP層與雪崩二極管D1的SP層相連，整流二極管D2和D4的SN層與雪崩二極管D1的SN層相連，D2的SP層與D3的SN層相連，D4的SP層與D5的SN層相連。