[實(shí)用新型]一種雙串聯(lián)反激電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720929418.X
• 申請(qǐng)日: 2017-07-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN206962709U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳大鋒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 鄭州瑞能電源技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02M3/335
• 分類(lèi)號(hào): H02M3/335
• 代理公司: 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11411
• 代理人: 鄭自群

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種保護(hù)電路，尤其是一種雙串聯(lián)反激電路。

背景技術(shù)

開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開(kāi)關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新。目前，開(kāi)關(guān)電源以小型、輕量和高效率的特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用幾乎所有的電子設(shè)備，是當(dāng)今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。電池的動(dòng)力電壓較高，而現(xiàn)有技術(shù)中一般只采用一個(gè)MOS管，輸入電壓范圍尤其上限仍然較低。

實(shí)用新型內(nèi)容

為克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種雙串聯(lián)反激電路，能夠有效解決MOS管耐壓?jiǎn)栴}，成本低，使用方便。

本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一種雙串聯(lián)反激電路，其中，包括第一RCD吸收回路、第一電流檢測(cè)電路、第二RCD吸收回路、第二電流檢測(cè)電路、MOS管Q8、MOS管Q9和變壓器，所述第一RCD吸收回路并聯(lián)在變壓器1/2繞組的引腳1和引腳2上，所述MOS管Q8的源極連接第一RCD吸收回路，柵極分別連接脈沖控制信號(hào)OGA和第一電流檢測(cè)電路，漏極連接第一電路檢測(cè)電路；所述第一電流檢測(cè)電路分別連接第二RCD吸收回路和變壓器1/2繞組的引腳3，引腳3連接中點(diǎn)電壓VHO，所述第二RCD吸收回路并聯(lián)在變壓器1/2繞組的引腳3和引腳4上，變壓器1/2繞組的引腳4連接MOS管Q9源極，MOS管Q9的柵極分別連接脈沖控制信號(hào)OGB和第二電流檢測(cè)電路，漏極連接第二電流流檢測(cè)電路；變壓器二次繞組L2按照匝比感應(yīng)一次繞組L1的電壓。

優(yōu)選的，所述第一RCD吸收回路包括電容C14、電阻R27和二極管D9，所述二極管D9的正極分別連接MOS管Q8的源極和變壓器1/2繞組的引腳2，負(fù)極分別連接電容C14和電阻R27，所述電容C14和電阻R27并聯(lián)后共同連接到變壓器1/2繞組的引腳1和電壓IN+端。

優(yōu)選的，所述第一電流檢測(cè)電路包括二極管D7-D8、電阻R26、電阻R24和檢流環(huán)ACT，所述二極管D7的負(fù)極輸出待檢測(cè)電流信號(hào)ISEN，正極分別連接電阻R26和二極管D7的負(fù)極，所述二極管D7的正極連接檢流環(huán)ACT的原邊線(xiàn)圈，電阻R26分別連接電壓IN-端和檢流環(huán)ACT的原邊線(xiàn)圈；檢流環(huán)ACT的副邊線(xiàn)圈分別連接電阻R24、第二吸收回路和變壓器1/2繞組的引腳3。

優(yōu)選的，所述第二RCD吸收回路包括電容C17、電阻R30和二極管D8，所述二極管D8的正極分別連接MOS管Q9的源極和變壓器1/2繞組的引腳4，負(fù)極分別連接電容C17和電阻R30，所述電容C17和電阻R30并聯(lián)后共同連接到變壓器1/2繞組的引腳3和第一電流檢測(cè)電路。

優(yōu)選的，所述第二電流檢測(cè)電路包括電阻R23、電阻R25、電阻RP1和電阻RP2,所述電阻R25一端連接待檢測(cè)電流信號(hào)ISEN，另一端分別連接電阻RP1、電阻RP2和電阻R23，所述電阻RP1和電阻RP2并聯(lián)后一端共同連接電阻R23和MOS管Q9的漏極，另一端共同連接電壓IN-端，所述電阻R23連接分別連接脈沖控制信號(hào)OGB和MOS管Q9的柵極。

本實(shí)用新型的有益效果如下：

本實(shí)用新型包括第一RCD吸收回路、第一電流檢測(cè)電路、第二RCD吸收回路、第二電流檢測(cè)電路、MOS管Q8、MOS管Q9和變壓器，采用兩個(gè)MOS管解決現(xiàn)有技術(shù)中的耐壓?jiǎn)栴}，本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，制作使用方便。

本實(shí)用新型的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本實(shí)用新型而了解。本實(shí)用新型的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在所寫(xiě)的說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型一種雙串聯(lián)反激電路的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說(shuō)明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。