[實用新型]電荷存儲單元有效
| 申請號： | 201720917902.0 | 申請日： | 2017-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN207602571U | 公開（公告）日： | 2018-07-10 |
| 發明（設計）人： | L·斯塔克 | 申請（專利權）人： | 意法半導體(R&D)有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 英國白*** | 國省代碼： | 英國;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 深溝槽隔離結構 電荷存儲區 電荷存儲單元 第一導電類型 電荷載流子 半導體區 位置鄰近 導電類型 延伸 | ||
【權利要求書】：
1.一種電荷存儲單元，其特征在于，包括：
半導體區，所述半導體區具有第一導電類型的電荷載流子；
第一深溝槽隔離結構；
電荷存儲區，所述電荷存儲區的位置鄰近于所述第一深溝槽隔離結構，所述電荷存儲區包括與所述第一導電類型不同的第二導電類型的電荷載流子并且沿著整個所述第一深溝槽隔離結構延伸；以及
第二深溝槽隔離結構，所述第二深溝槽隔離結構的位置鄰近于所述電荷存儲區并且與所述第一深溝槽隔離結構相對。
2.如權利要求1所述的電荷存儲單元，其特征在于，所述電荷存儲區包括上部摻雜部分以及下部摻雜部分，所述上部摻雜部分比所述下部摻雜部分摻雜得更重。
3.如權利要求1所述的電荷存儲單元，其特征在于，進一步包括：
第三深溝槽隔離結構，所述第三深溝槽隔離結構的位置鄰近于所述第一深溝槽隔離結構，使得所述第一深溝槽隔離結構在所述第二深溝槽隔離結構與所述第三深溝槽隔離結構之間；以及
第二電荷存儲區，所述第二電荷存儲區在所述第一深溝槽隔離結構與所述第三深溝槽隔離結構之間。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
