[實(shí)用新型]一種面壁材料3D微區(qū)燃料滯留無損定量分析設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720911884.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207396352U | 公開(公告)日: | 2018-05-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丁洪斌;趙棟燁;李聰;孫立影;呂燕;孫繼忠;夏體銳;楊洪廣 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 大連理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N21/71 | 分類號(hào): | G01N21/71;G01N27/62 |
| 代理公司: | 大連星海專利事務(wù)所有限公司 21208 | 代理人: | 裴毓英 |
| 地址: | 116024 遼*** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 面壁 材料 燃料 滯留 無損 定量分析 設(shè)備 | ||
本實(shí)用新型公開了一種面壁材料3D微區(qū)燃料滯留無損定量分析設(shè)備。通過使用本設(shè)備,并結(jié)合相應(yīng)的軟件及算法,可實(shí)現(xiàn)激光誘導(dǎo)解吸附技術(shù)結(jié)合熱脫附質(zhì)譜技術(shù),對(duì)面壁材料燃料滯留高空間分辨(μm量級(jí))、高深度分辨(nm到mm量級(jí))、無損的定量分析。其檢出限低、探測(cè)靈敏度高、樣品無需預(yù)處理,可快速(s量級(jí))分析被測(cè)樣品。此外,通過使用分壓校準(zhǔn)法,可以將該方法用于定量分析其他氣體分子和有機(jī)分子。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種面壁材料3D微區(qū)燃料滯留無損定量分析設(shè)備。
背景技術(shù)
在聚變裝置托卡馬克運(yùn)行過程中,由于磁場(chǎng)對(duì)粒子約束的不完全性,如中性粒子、順著磁力線輸運(yùn)的粒子、帶電粒子之間的電荷交換、等離子體破裂等會(huì)發(fā)生等離子體與器壁相互作用(Plasma-Wall-Interaction,PWI)。PWI是一個(gè)多學(xué)科交叉、多物理和化學(xué)過程耦合以及多尺度變化的復(fù)雜問題,可以說托卡馬克磁約束核聚變能否或者何時(shí)能夠最終實(shí)現(xiàn),很大程度上依賴于PWI過程的研究與控制。PWI過程中一個(gè)關(guān)鍵問題是:面壁材料(PFMs)在聚變等離子體輻照下,將發(fā)生背散射、解吸、物理濺射、化學(xué)腐蝕、結(jié)構(gòu)損傷、雜質(zhì)沉積、燃料滯留等復(fù)雜現(xiàn)象。這些將使PFMs表面元素成分發(fā)生改變,影響燃料再循環(huán)控制,從而影響等離子體約束性能,導(dǎo)致各種等離子體不穩(wěn)定性,降低聚變等離子體品質(zhì),甚至導(dǎo)致等離子體破裂。為在托卡馬克核聚變裝置中實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)脈沖、高約束、穩(wěn)定的放電,關(guān)鍵問題之一是要弄清楚等聚變離子體(主要是氘、氚及氦)與PFMs相互作用的機(jī)理,其中重要的一點(diǎn)就是聚變等離子體燃料滯留機(jī)制。尤其是理解偏濾器瓦片之間的間隙內(nèi)的雜質(zhì)沉積和燃料滯留極為重要,這是由于對(duì)瓦片之間的間隙的清理以及探測(cè)相比與其他部位PFMs更為困難。偏濾器部位燃料滯留對(duì)裝置的安全穩(wěn)態(tài)運(yùn)行起重要作用,目前正在建的最大托卡馬克裝置國(guó)際熱核聚變實(shí)驗(yàn)堆(International Thermonuclear Experimental Reactor,ITER)真空室內(nèi)氚的安全量是700g。未來超導(dǎo)托卡馬克裝置的穩(wěn)態(tài)安全運(yùn)行對(duì)燃料在托卡馬克PFMs壁中的滯留要求會(huì)十分嚴(yán)格,對(duì)燃料滯留機(jī)制的深入理解是當(dāng)前國(guó)際聚變界的研究熱點(diǎn)和難點(diǎn)之一。目前對(duì)偏濾器PFMs燃料滯留的分析方法主要集中在離線分析,即在聚變裝置一輪放電結(jié)束后,打開真空腔室,取出PFMs材料,然后使用各種電子束、離子束等手段對(duì)其進(jìn)行分析。
目前主要的離線分析手段包括核反應(yīng)分析法(Nuclear Reaction Analysis,NRA)、二次離子質(zhì)譜(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)、氚成像技術(shù)(TritiumImage Photo Technology,TIPT)、俄歇電子能譜(Auger Electron Spectroscopy,AES)、X光電子能譜(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)、X射線衍射儀(X-RayDiffraction,XRD)、掃描電子顯微鏡-能量分散光譜(Scanning Electron Microscope-Energy Dispersed Spectroscopy, SEM-EDS)、原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope,AFM)、共聚焦顯微鏡 (Confocal Microscopy,CM)、聚焦離子束-掃描電子顯微鏡(FocusIons Beam- Scanning Electron Microscope,F(xiàn)IB-SEM)、激光誘導(dǎo)擊穿光譜(LaserInduced Breakdown Spectroscopy,LIBS)、輝光放電發(fā)射光譜(Glow Discharge-OpticalEmission Spectroscopy,GD-OES)、熱脫附質(zhì)譜(Thermal Desorption Spectroscopy,TDS)等獲取氫同位素滯留的相關(guān)信息。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





