[實用新型]調控多個隨機不相干單光子發(fā)射器輻射的環(huán)腔納米天線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720905900.X | 申請日： | 2017-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN207426131U | 公開（公告）日： | 2018-05-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 孫松;李沫 | 申請（專利權）人： | 中國工程物理研究院電子工程研究所 |
| 主分類號： | H01Q1/36 | 分類號： | H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q15/08 |
| 代理公司： | 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蔣斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單光子 發(fā)射器 納米天線 環(huán)腔 本實用新型 發(fā)射器輻射 調控 天線結構 單光子源 發(fā)射頻段 環(huán)境基質 角度擴散 量子通信 整體放置 柱狀結構 耦合 呈柱狀 單分子 諧振模 輻射 極化 襯底 傳感 空腔 頻段 激發(fā) | ||
1.調控多個隨機不相干單光子發(fā)射器輻射的環(huán)腔納米天線，其特征在于：包括襯底（3）和若干個環(huán)腔狀納米天線（1），所述環(huán)腔狀納米天線（1）呈柱狀結構，柱狀結構的中間開設有空腔，空腔腔體內設置有單個或多個不相干的單光子發(fā)射器（4）。
2.根據(jù)權利要求1所述的調控多個隨機不相干單光子發(fā)射器輻射的環(huán)腔納米天線，其特征在于：所述環(huán)腔狀納米天線（1）的材質采用表面等離激元金屬，或者采用高折率電介質材料。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的調控多個隨機不相干單光子發(fā)射器輻射的環(huán)腔納米天線，其特征在于：所述若干個環(huán)腔狀納米天線（1）呈一定陣列結構布局于襯底上，所述陣列結構根據(jù)實際應用要求進行布局。
4.根據(jù)權利要求1所述的調控多個隨機不相干單光子發(fā)射器輻射的環(huán)腔納米天線，其特征在于：所述柱狀結構的高度、外徑、空腔的直徑和柱狀結構的壁厚，均根據(jù)實際應用要求進行設計調整，并形成能同時耦合單光子發(fā)射器的激發(fā)頻段和單光子發(fā)射器的發(fā)射頻段的多個諧振模。
5.根據(jù)權利要求1所述的調控多個隨機不相干單光子發(fā)射器輻射的環(huán)腔納米天線，其特征在于：所述環(huán)腔狀納米天線（1）設計成圓柱狀結構，沿圓柱狀結構的中軸線方向開設形成圓柱形空腔。
6.根據(jù)權利要求1所述的調控多個隨機不相干單光子發(fā)射器輻射的環(huán)腔納米天線，其特征在于：所述環(huán)腔狀納米天線（1）不依賴于單光子發(fā)射器的極化排列，導引腔體內的單光子發(fā)射器輻射沿腔體對稱軸方向傳播，并束縛其橫向傳播。
7.根據(jù)權利要求1所述的調控多個隨機不相干單光子發(fā)射器輻射的環(huán)腔納米天線，其特征在于：所述環(huán)腔納米天線安放于環(huán)境基質（2）中，所述環(huán)境基質（2）是空氣、或者水、或者PMMA有機溶液。
8.根據(jù)權利要求1所述的調控多個隨機不相干單光子發(fā)射器輻射的環(huán)腔納米天線，其特征在于：所述襯底（3）采用的材質的折射率與環(huán)境基質（2）的折射率相差±0.5以內，同時與納米天線的折射率相差±3~4；所述襯底材質采用SiO
9.根據(jù)權利要求1所述的調控多個隨機不相干單光子發(fā)射器輻射的環(huán)腔納米天線，其特征在于：所述單光子發(fā)射器是有機發(fā)光分子，或原子，或量子點；所述單光子發(fā)射器的激發(fā)頻段和發(fā)射頻段與腔狀納米天線（1）對應的諧振模耦合。
10.根據(jù)權利要求1所述的調控多個隨機不相干單光子發(fā)射器輻射的環(huán)腔納米天線，其特征在于：所述單光子發(fā)射器通過工藝或化學方法置放于腔體內的相應位置。
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