[實用新型]一種GaN/AlGaN柵槽結構有效
| 申請號： | 201720900135.2 | 申請日： | 2017-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN207425861U | 公開（公告）日： | 2018-05-29 |
| 發明（設計）人： | 李俊燾;周陽;代剛 | 申請（專利權）人： | 中國工程物理研究院電子工程研究所 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蔣斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柵槽 外延材料層 多層 刻蝕阻擋層 襯底 半導體 本實用新型 圖形化刻蝕 結構圖形 低損傷 電性 良率 平整 清潔 | ||
1.一種GaN/AlGaN柵槽結構，其特征在于包括：一半導體襯底（110）、半導體襯底（110）上的GaN/AlGaN多層外延材料層和GaN/AlGaN多層外延材料層表面上的刻蝕阻擋層（130）；所述刻蝕阻擋層（130）和GaN/AlGaN多層外延材料層上圖形化刻蝕有柵槽結構（220）。
2.根據權利要求1所述的一種GaN/AlGaN柵槽結構，其特征在于：所述GaN/AlGaN多層外延材料層包括緩沖層、位于緩沖層表面上的多層外延層、位于多層外延多層表面上的帽層。
3.根據權利要求2所述的一種GaN/AlGaN柵槽結構，其特征在于：所述刻蝕阻擋層（130）位于GaN/AlGaN多層外延材料層的帽層表面上。
4.根據權利要求1所述的一種GaN/AlGaN柵槽結構，其特征在于：所述柵槽結構（220）呈凹槽狀，柵槽結構（220）的深度至少大于刻蝕阻擋層（130）的厚度。
5.根據權利要求2所述的GaN/AlGaN柵槽結構，其特征在于：所述緩沖層為未摻雜GaN層，或者輕摻雜GaN層。
6.根據權利要求1所述的GaN/AlGaN柵槽結構，其特征在于：所述多層外延層和帽層均為多層不同性質的AlGaN層。
7.根據權利要求6所述的GaN/AlGaN柵槽結構，其特征在于：所述多層外延層包括未摻雜AlGaN隔離層和Si摻雜AlGaN層。
8.根據權利要求6或7所述的GaN/AlGaN柵槽結構，其特征在于：所述帽層采用未摻雜AlGaN層。
9.根據權利要求1所述的GaN/AlGaN柵槽結構，其特征在于：所述半導體襯底（110）是Si，藍寶石或SiC。
10.根據權利要求1所述的GaN/AlGaN柵槽結構，其特征在于：所述刻蝕阻擋層（130）為氮化硅層、或光刻膠、或金屬硬掩膜、或介電質硬掩膜。
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